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    Findings from North Carolina State University (NC State) Reveals New Findings on Chemical Physics [Mno(001) Thin Films On Mgo(001) Grown By Reactive Mbe Using Supersonic Molecular Beams].
    In: Journal of Technology & Science, 2024-06-02, S. 666
    Zeitungsartikel
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    Microstructure of epitaxial Mg3N2 thin films grown by MBE.
    John, P. ; Vennéguès, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 129 (2021-03-07), Heft 9, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Reports on Applied Physics Findings from University of Western Australia Provide New Insights [Structural Properties and Defect Formation Mechanisms In Mbe-grown Hgcdte On Insb (211)B Substrates]
    In: Journal of Physics Research, 2023-11-07, S. 446
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Mbe Sputtering Thin Film Growth System.
    In: Mena Report, 2023-02-28
    Online Zeitungsartikel
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    MBE-grown tetragonal FeTe consisting of c-axis-aligned nanocrystals
    He, Zhihao ; To, Yick On ; et al.
    2024
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    MBE growth of SiGe with high Ge content for optical applications : International symposium on control of semiconductor interfaces; ISCSI-V
    Oehme, M. ; Werner, J. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 254 (2008), Heft 19, S. 6238-6241
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    X-ray diffraction characterization of MBE grown Pr1-xSrxMnO3 thin films on NGO(1 1 0)
    LIU, G ; WANG, H ; et al.
    In: Proceedings of the Eighth International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, Sapporo, Japan, June 10-15, 2001, Jg. 190 (2002), Heft 1-4, S. 408-415
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of initial growth process for GaN heteroepitaxial layers grown on Si(0 0 1) and Si(1 1 1) substrates by ECR-assisted MBE
    YODO, T ; ANDO, H ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1104-1109
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    In-situ control of stoichiometry in room temperature MBE-growth of ZrO2 thin films using a novel hyperthermal oxygen atom source
    WISOTZKI, E ; HAHN, H ; et al.
    In: TATF' 98 : trends and new applications of thin films (Regensburg, March 1998), 1998, S. 181-184
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Structural evolution with temperature of MBE Au/Ni multilayers
    DRESSLER, C ; BAYLE-GUILLEMAUD, P ; et al.
    In: IIB 98 : intergranular and interphase boundaries in materials (Prague, July 1998), 1999, S. 321-324
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Studies of the Growth Method and Properties of AlN Grown by RF-MBE : Korea-China symposium on advanced functional films for information
    Liu, B. ; Fu, Q.M. ; et al.
    In: JOURNAL- KOREAN PHYSICAL SOCIETY, Jg. 52 (2008), Heft Supp/1, S. S17- (3S.)
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    MBE growth of MgSe thin films on ZnSe/GaAs(001) substrates
    FENG, P. X ; RILEY, J. D ; et al.
    In: Journal of physics. D, Applied physics (Print), Jg. 34 (2001), Heft 9, S. 1293-1300
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Optically pumped stimulated emission in ZnS/ZnCdS multiple quantum-wells, MBE-grown on GaP
    OZANYAN, K. B ; NICHOLLS, J. E ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 99 (1996), Heft 6, S. 407-412
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Surface segregation of boron atoms in Si and strained Si1-xGex layers during MBE growth : experiment and simulation
    KRÜGER, D ; OSTEN, H. J
    In: Thin solid films, Jg. 258 (1995), Heft 1-2, S. 137-142
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Epitaxial growth of CuGaSe2 thin films by MBE Influence of the Cu Ga ratio
    Pettenkofer, Christian ; Popp, Andreas
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Ge integration on Si via rare earth oxide buffers: From MBE to CVD (Invited Paper)
    Schroeder, T. ; Giussani, A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-07-01), Heft 7-9, S. 1615-1620
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A new in-situ surface treatment during MBE-grown PbSe on CaF.sub.2/Si(111) heterostructure
    Li, D. ; Ma, J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-06-15), Heft 13, S. 3395-3398
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The formation of epitaxial YH2 in MBE grown yttrium thin films with a thin gold capping layer
    WILDES, A. R ; WARD, R. C. C ; et al.
    In: Journal of alloys and compounds, Jg. 242 (1996), S. 49-57
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    MBE growth and characterization of buried silicon oxide films on Si(100)
    HACKE, M ; BAY, H. L ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 280 (1996), Heft 1-2, S. 107-111
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Exchange-coupled MBE-grown Co/Cu/Co(111) trilayers
    IVES, A. J. R ; BLAND, J. A. C ; et al.
    In: Journal of magnetism and magnetic materials, Jg. 154 (1996), Heft 3, S. 301-320
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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lg 992 - 1200
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