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    Integration of Innovative Process Modules in a Full 0.35m̆ CMOS Process and Circuit Demonstration : ESSDERC'94
    Haond, M. ; Lerme, M.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 793-802
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The Low-Frequency Noise Behaviour of Different SOI CMOS Technologies : ESSDERC'94
    Simoen, E. ; Claeys, C.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 779-782
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Statistical Worst-Case Analysis Techniques for CMOS Technology using Design of Experiments : ESSDERC'94
    Clancy, R. ; Welten, M. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 837-840
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low Frequency Fluctuations in Scaled-Down Silicon CMOS Devices: Status and Trends : ESSDERC'94
    Ghibaudo, G. ; Roux-Dit-Buisson, O.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 693-700
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Ultra-Low-Power CMOS with Process and Device Simulation : ESSDERC'94
    Schrom, G. ; Liu, D. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 679-682
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Latchup Design Precautions for 1.0 Micron Junction Isolated CMOS ASICS Operating at Temperatures Up to 525K : ESSDERC'94
    Uffmann, D. ; Stemmer, J. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 675-678
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A New Method Using Charge Pumping Measurements to Determine Electrical Channel Length Variation During Ageing of 0.5m̆ CMOS Transistors : ESSDERC'94
    Dorval, D. ; Dars, P. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 605-608
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Homogeneous Hot Hole Injection by Tunnelling in Gate Oxides of CMOS Devices : ESSDERC'94
    Brozek, T. ; Viswanathan, C. R.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 515-520
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    3D Modelling of a Bipolar Smart Optical Sensor Fabricated in CMOS Technology : ESSDERC'94
    Vecchi, M. C. ; Zorzi, N. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 355-360
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Impact of Polysilicon Depletion Effect on Circuit Performance for 0.35 ̆CMOS Technology : ESSDERC'94
    Arora, N. D. ; Rios, R. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 369-372
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Novel ESD Protection Technique for Submicron CMOS Technologies : ESSDERC'94
    Kwon, K. H. ; Park, H. R. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 417-420
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Micromechanic Pressure Sensors with Optical Readout and CMOS-Amplifiers on Silicon : ESSDERC'94
    Hilleringmann, U. ; Adams, S. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 387-390
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Scaling Gate Electrode Thickness for 0.18m̆ CMOS Devices : ESSDERC'94
    Nunan, P. ; Cheung, K. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 361-364
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Improved Hot-Carrier Reliability in a 0.5-m̆ TLM CMOS Process by Back-End Process Optimization : ESSDERC'94
    Van den Bosch, G. ; Deferm, L. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 303-308
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 0.8 m̆ CMOS, Double Polysilicon EEPROM Technology Module Optimized for Minimum Wafer Cost : ESSDERC'94
    Cacharelis, P. ; Hoffstetter, D. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 195-198
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 0.35 m̆ CMOS Technology Optimized for Low-Power Applications : ESSDERC'94
    Montree, A. H. ; Lifka, H. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 187-190
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Deep UV Lithography for 0.35m̆ Design Rules Application to CMOS Technology with Three Metallization Levels : ESSDERC'94
    Vinet, F. ; Buffet, N. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 299-302
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    An Optimized Poly-Buffered LOCOS Process for a 0.35m̆ CMOS Technology : ESSDERC'94
    Mieville, J. P. ; Rooyackers, R. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 199-202
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    0.35m̆ CMOS Technology with Chemical Mechanical Polishing for Three Metallization Levels Planarization : ESSDERC'94
    Lerme, M. ; Arena, C. ; et al.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 121-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Integration of Chemical Mechanical Polishing as Premetal Planarization in a Sub Micron CMOS Process : ESSDERC'94
    Louwers, S. P. A.
    In: ESSDERC -CONFERENCE-, , Heft E 24, S. 125-128
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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