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    Formation of compositionally uniform tungsten silicide films using dichlorosilane in a single-wafer reactor
    TELFORD, S. G ; EIZENBERG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 15, S. 1766-1768
    Online academicJournal
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    Heteroepitaxial growth of Ge on (100) Si by ultrahigh vacuum, chemical vapor deposition
    CUNNINGHAM, B ; CHU, J. O ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 27, S. 3574-3576
    Online academicJournal
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    Epitaxial silicon deposition at 300°C with remote plasma processing using SiH4/H2 mixtures
    HATTANGADY, S. V ; POSTHILL, J. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341
    Online academicJournal
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    Relaxed GexSi1-x films grown by rapid thermal processing chemical vapor deposition
    JUNG, K. H ; KIM, Y. M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 18, S. 1775-1777
    Online academicJournal
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    Low-temperature epitaxial growth of silicon by low-pressure chemical vapor deposition
    MEAKIN, D ; STOBBS, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 13, S. 1053-1055
    Online academicJournal
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    Laser-induced homoepitaxy of GaP
    SOLANKI, R ; SUDARSAN, U ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 11, S. 919-921
    Online academicJournal
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    Laser-induced homoepitaxial growth of gallium arsenide films
    CHU, S. S ; CHU, T. L ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 15, S. 1243-1245
    Online academicJournal
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    Plasma-enhanced deposition of high-quality epitaxial silicon at low temperatures
    COMFORT, J. H ; REIF, R
    In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 24, S. 2016-2018
    Online academicJournal
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    Selective growth of Si crystals from the agglomerated Si seeds over amorphous substrates
    YAMAGATA, K ; YONEHARA, T
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 21, S. 2557-2559
    Online academicJournal
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    Effects of reactive ion etching on chemical vapor deposition
    WONG, C. Y ; BATSON, P. E
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 5, S. 253-255
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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