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In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 2, S. 266-268Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 582-584Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 15, S. 1766-1768Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 5, S. 611-613Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 24, S. 3099-3101Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 7, S. 681-683Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 21, S. 2539-2541Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 18, S. 2175-2177Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1703-1705Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3144-3146Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 16-18Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3135-3137Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 22-24Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 12, S. 1444-1446Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 90-92Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 3, S. 281-283Online academicJournalZugriff:
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Initial stage of InAs on GaAs grown by molecular-beam epitaxy studied with low-energy ion scatteringIn: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 27, S. 3577-3579Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 27, S. 3574-3576Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 12, S. 1134-1136Online academicJournalZugriff: