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    A monolithic HBT-regulated HEMT LNA by selective MBE
    STREIT, D. C ; KOBAYASHI, K. W ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 5 (1995), Heft 4, S. 124-126
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A high performance and low DC power V-band MMIC LNA using 0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT technology
    LAI, R ; CHANG, K. W ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 3 (1993), Heft 12, S. 447-449
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A novel cascode feedback GaAs MMIC LNA with transformer-coupled output using multiple fabrication processes
    FAZAL, ALI ; HUTCHINSON, C ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 2 (1992), Heft 2, S. 70-72
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A fully integrated 1.9-GHz CMOS low-noise amplifier
    CHEON SOO, KIM ; MIN, PARK ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 8 (1998), Heft 8, S. 293-295
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High-performance Ka-band monolithic low-noise amplifiers using 0.2-μm dry-recessed GaAs PHEMT's
    KWON, Y ; DEAKIN, D. S ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 6 (1996), Heft 7, S. 253-255
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A 140-GHz monolithic low noise amplifier
    WANG, H ; LAI, R ; et al.
    In: IEEE microwave and guided wave letters, Jg. 5 (1995), Heft 5, S. 150-152
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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