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    Masked growth of InGaAsP-based quantum wells for optoelectronic device applications
    CHEN, Y ; CHIU, T. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 14, S. 1641-1643
    Online academicJournal
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    Hydrogen plasma removal of AlGaAs oxides before molecular beam epitaxy
    CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 7, S. 735-737
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxial regrowth on in situ plasma-etched AlAs/AlGaAs heterostructures
    CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1738-1740
    Online academicJournal
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    Growth kinetics of (100), (110), and (111) homoepitaxial diamond films
    CHU, C. J ; HAUGE, R. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 12, S. 1393-1395
    Online academicJournal
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    Elimination of dark line defects in GaAs-on-Si by post-growth patterning and thermal annealing
    NARESH, CHAND ; CHU, S. N. G
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 1, S. 74-76
    Online academicJournal
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    Very high tin doping of Ga0.47In0.53As by molecular beam epitaxy
    PANISH, M. B ; HAMM, R. A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 12, S. 1137-1139
    Online academicJournal
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    Origin and improvement of interface roughness in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy
    NARESH, CHAND ; CHU, S. N. G
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 17, S. 1796-1798
    Online academicJournal
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    Growth of in situ deoped silicon epitaxial layer by rapid thermal processing
    LEE, S. K ; KU, Y. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 16, S. 1628-1630
    Online academicJournal
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    Thermal stability of InGaAs/InP quantum well structures grown by gas source molecular beam epitaxy
    TEMKIN, H ; CHU, S. N. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 15, S. 956-958
    Online academicJournal
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    Plasma enhanced chemical vapor deposition of epitaxial mercury telluride
    WILLIAMS, L. M ; LU, P.-Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 21, S. 1738-1740
    Online academicJournal
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    Hg1-xMnx Te-CdTe superlattices grown by molecular beam epitaxy
    CHU, X ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 10, S. 597-599
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Polarity determination of CdTe(111) orientation grown on GaAs(100) by molecular beam epitaxy
    HSU, C ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 48 (1986), Heft 14, S. 908-910
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy studies of InGaAs/InP superlattices grown by gas-source molecular beam epitaxy
    VANDENBERG, J. M ; CHU, S. N. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 19, S. 1302-1304
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Epitaxial Hg1-xCdxTe growth by low-temperature metalorganic chemical vapor deposition
    LU, P.-Y ; WANG, C.-H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 20, S. 1372-1374
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Growth of Hg1-xZnxTe by molecular beam epitaxy on a GaAs(100) substrate
    SIVANANTHAN, S ; CHU, X ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 47 (1985), Heft 12, S. 1291-1293
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Stains measurements by channeling angular scans
    PICRAUX, S. T ; DAWSON, L. R ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 43 (1983), Heft 11, S. 1020-1022
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Behavior of the first layer growth in GaAs molecular beam epitaxy
    LIU, D. G ; LEE, C. P ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 14, S. 1392-1394
    Online academicJournal
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