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155 Treffer

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    Liquid phase epitaxy (LPE) of GaN on c- and r-faces of AlN substrates
    AZIZI, M ; MEISSNER, E ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 322 (2011), Heft 1, S. 74-77
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Structural and electrical characteristics of InGaAsN layers grown by LPE
    MILANOVA, M ; VITANOV, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 346 (2012), Heft 1, S. 79-82
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
    GUIMARAES, Sonia ; TAVARES DE LIMA, Joaquim ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 1657-1663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Structural characterisation of remelt liquid phase epitaxy (LPE) grown AlGaAs heteroepitaxial layer
    JEGANATHAN, K ; FERRARI, C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 203 (1999), Heft 3, S. 327-332
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Preferential growth mechanism of YBCO film on MgO substrate in initial stage of LPE growth
    IZUMI, Teruo ; KAKIMOTO, Kazuomi ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 219 (2000), Heft 3, S. 228-236
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    High purity GaSb grown by LPE in a sapphire boat
    OLVERA-HERNANDEZ, J ; DE ANDA, F ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 208 (2000), Heft 1-4, S. 27-32
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Interface-supersaturation estimated from the shape of steps on the surface of InP MCE by LPE
    NARITSUKA, Shigeya ; NISHINAGA, Tatau
    In: Journal of crystal growth, Jg. 222 (2001), Heft 1-2, S. 14-19
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Crystal structure of LPE-grown LiNbO3 epitaxial films
    KAIGAWA, K ; KAWAGUCHI, T ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 177 (1997), Heft 3-4, S. 217-225
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Non-abruptness of heterointerfaces during LPE growth of (Hg,Cd)Te on (Cd,Zn)Te and Cd(Te,Se) substrates
    UTKE, I ; FRENTRUP, W ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 162 (1996), Heft 3-4, S. 126-134
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Crystal structure of LPE-grown LiNb1-xTaxO3 epitaxial films
    KAIGAWA, K ; KAWAGUCHI, T ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 191 (1998), Heft 1-2, S. 119-124
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Growth of alloy GaInP crystals by compositional conversion of InP layers grown on GaP substrates in an LPE system
    MOTOGAITO, A ; KIMURA, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 182 (1997), Heft 3-4, S. 275-280
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of erbium doping of InP and (Ga,In)(As,P) layers grown by LPE
    CHATTERJEE, A. K ; HAIGH, J
    In: Journal of crystal growth, Jg. 106 (1990), Heft 4, S. 537-542
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Lattice compensation in LPE-grown GaAs crystals by simultaneous Te and Si doping
    KAMIYA, T ; KIMURA, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 165 (1996), Heft 4, S. 482-484
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Simulation of the growth rate and layer thickness for liquid phase epitaxy (LPE) under slider-induced convection
    LAI-JUH, CHEN ; CHI-CHAO, WAN ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 121 (1992), Heft 3, S. 322-334
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Origin and evolution of background impurity content of materials used in the preparation of (Hg, Cd)Te LPE layers on CdTe substrates
    RUDOLPH, P ; MÜHLBERG, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 118 (1992), Heft 1-2, S. 204-212
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    LPE growth of undoped n-type GaAs at 636°C with extremely low compensation
    OHSAWA, J ; TOMITA, A ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 116 (1992), Heft 3-4, S. 351-356
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    On the peculiarities of the short-time (tg < 10 ms) solid solution LPE growth onto the moving substrate
    GARBUZOV, D. Z ; ZHURAVKEVICH, E. V ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 110 (1991), Heft 4, S. 955-959
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Heterointerface study of perturbed LPE growth of AlGaAs/InGaP single heterostructure
    LU, S.-C ; MENG-CHYI, WU ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 110 (1991), Heft 4, S. 795-802
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Gettering properties of PrO2 in In0.5.Ga0.47As LPE growth
    NOVAK, J ; HASENOHRL, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 110 (1991), Heft 4, S. 862-866
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Structural characterization of HgO.78Cd0.22Te/CdTe LPE heterostructures grown from Te solutions
    BERNARDI, S ; BOCCHI, C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 113 (1991), Heft 1-2, S. 53-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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