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    Transfer of excess charge carriers in an a-Si:H/crystalline-silicon heterojunction measured during the growth of the amorphous silicon layer
    NEITZERT, H. C ; HIRSCH, W ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 7, S. 4481-4486
    Online academicJournal
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    Defects in diamond thin films
    FANCIULLI, M ; MOUTAKAS, T. D
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 20, S. 14982-14988
    Online academicJournal
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    Cathodoluminescence spectroscopy of free and bound excitons in chemical-vapor-deposited diamond
    ROBINS, L. H ; FARABAUGH, E. N ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 19, S. 14167-14181
    Online academicJournal
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    Growth and electronic structure of ultrathin palladium films on Al(111) and their interaction with oxygen and carbon monoxide / Croissance et structure électronique de couches ultraminces de palladium sur Al(111) et leur interaction avec l'oxygène et le monoxyde de carbone
    FRICK, B ; JACOBI, K
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 37 (1988), Heft 9, S. 4408-4414
    Online academicJournal
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    Excitonic recombination radiation in undoped and boron-doped chemical-vapor-deposited diamonds
    KAWARADA, H ; MATSUYAMA, H ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 47 (1993), Heft 7, S. 3633-3637
    Online academicJournal
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    Raman scattering from ion-implanted diamond, graphite, and polymers
    LEE, E. H ; HEMBREE, D. M ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 21, S. 15540-15551
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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lg 992 - 1200
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