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    HWE growth and evaluation of CdTe epitaxial films on GaAs
    WANG, J. F ; KIKUCHI, K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 187 (1998), Heft 3-4, S. 373-379
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Crystal structure and electrical parameters of In-doped PbTe/Si films prepared by modified HWE technique
    SAMOYLOV, A. M ; KHOVIV, A. M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 254 (2003), Heft 1-2, S. 55-64
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strain in the HWE-grown ZnTe/(100) GaAs hetero-interface
    KIM, B. J ; WANG, J. F ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 235 (2002), Heft 1-4, S. 201-206
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A twinned PbTe film induced by the 7 × 7 reconstruction of Si(111)
    CHEN, H. Y ; DONG, S. S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 273 (2004), Heft 1-2, S. 156-160
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOVPE using a-GaAs/a-Si double-buffer layers
    UEN, Wu-Yih ; LI, Zhen-Yu ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 295 (2006), Heft 2, S. 103-107
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Growth and characterization of CuAlSe2(112)/GaAs(100) heteroepitaxial layers grown by hot wall epitaxy method
    YOU, S. H ; HONG, K. J ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 290 (2006), Heft 1, S. 18-23
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Hot wall epitaxy of high-quality CdTe/Si(111)
    LALEV, Georgi M ; JIFENG, WANG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 256 (2003), Heft 1-2, S. 20-26
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural relationship between epitaxially grown para-sexiphenyl and mica (001) substrates
    PLANK, H ; RESEL, R ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 3, Jg. 237-39 (2002), S. 2076-2081
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Improvement of the structural and electrical properties of InAsSb epilayer using Sb-rich InAsSb buffer layer grown by hot wall epitaxy
    NAKAMURA, S ; JAYAVEL, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 280 (2005), Heft 1-2, S. 26-31
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Mechanisms of spiral growth in Bi2Te3 thin films grown by the hot-wall-epitaxy technique
    FERHAT, Marhoun ; TEDENAC, Jean Claude ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 218 (2000), Heft 2-4, S. 250-258
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    GaAs substrate thermal preheating effect exerted on ZnTe epilayer
    SUNGUN, NAM ; YU, Y.-M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 212 (2000), Heft 3-4, S. 416-422
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Study of the band offset for ZnSe(100)/GaAs(100) heterojunctions grown by hot wall epitaxy
    YI, YANG ; YUKUN, YANG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 158 (1996), Heft 4, S. 455-458
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Epitaxial growth of ZnSe/GaAs(100) by hot wall epitaxy
    LEE, C.-H ; CHOI, Y.-D ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 167 (1996), Heft 3-4, S. 473-477
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Comparative studies between the growth characteristics of Bi2Te3 thin films deposited on SiO2, Si(100) and Si(111)
    FERHAT, M ; LIAUTARD, B ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 167 (1996), Heft 1-2, S. 122-128
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Wurtzite CdSe grown by hot-wal epitaxy
    GRÜN, M ; BECKER, U ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 126 (1993), Heft 2-3, S. 505-509
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A TEM evaluation of CdTe epilayers grown on precisely oriented (111)B GaAs by hot wall epitaxy
    HOBBS, A ; UEDA, O ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 126 (1993), Heft 4, S. 605-612
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Structural study of PbTe films grown on BaF2 by hot wall epitaxy
    STOEMENOS, J ; ZHELEVA, N. N ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 97 (1989), Heft 2, S. 443-452
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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