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    Multiwafer gas source MBE development for InGaAsP/InP laser production
    LELARGE, F ; SANCHEZ, J. J ; et al.
    In: Molecular beam epitaxy 2002: proceedings of the twelfth international conference on molecular beam epitaxy, San Francisco, CA, USA, 15-20 September 2002, Jg. 251 (2003), Heft 1-4, S. 130-134
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Building a near infrared spectral library for soil organic carbon estimation in the Limpopo National Park, Mozambique
    CAMBULE, A. H ; ROSSITER, D. G ; et al.
    In: Geoderma (Amsterdam), Jg. 183-184 (2012), S. 41-48
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Metal/InP thin film reactions: studies using mass and energy dispersive recoil spectrometry
    WHITLOW, H. J ; ANDERSSON, M ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 46 (1995), Heft 7, S. 737-738
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Growth and properties of ferroelectric lead hydrogen phosphate and lead nitrate phosphate single crystals
    DESAI, C. C ; RAMANA, M. S. V
    In: Journal of crystal growth, Jg. 91 (1988), Heft 1-2, S. 126-134
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Gas source MBE growth of TlInGaAs/InP laser diodes and their room temperature operation
    LEE, H. J ; FUJIWARA, A ; et al.
    In: Molecular beam epitaxy 2002: proceedings of the twelfth international conference on molecular beam epitaxy, San Francisco, CA, USA, 15-20 September 2002, Jg. 251 (2003), Heft 1-4, S. 800-803
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Crystallographic orientation dependence of impurity incorporation during epitaxial lateral overgrowth of InP
    SUN, Y. T ; ANAND, S ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1418-1422
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Study of a thin anodic oxide on n-InP by photocurrent transient, capacitance measurements and surface analysis
    SIMON, N ; GERARD, I ; et al.
    In: Surface modification of semiconductors, Jg. 47 (2002), Heft 16, S. 2625-2631
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Phase transitions of LnSb (Ln = lanthanide) with NaCl-type structure at high pressures
    HAYASHI, J ; SHIROTANI, I ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 114 (2000), Heft 11, S. 561-565
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Surface morphology, electrical and optical properties of In0.53Ga0.47As/InP grown by metalorganic vapor-phase epitaxy using trimethylarsine and arsine
    DUMONT, H ; AUVRAY, L ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 204 (1999), Heft 1-2, S. 1-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Investigations on the CdS passivated anodic oxide-InP interface for MOS structures
    SUMATHI, R. R ; SENTHIL KUMAR, M ; et al.
    In: Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, Jg. 60 (1999), Heft 1, S. 25-30
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The mechanism of growth-twin formation in zincblende crystals : New insights from a study of magnetic liquid encapsulated Czochralski-grown InP single crystals
    CHUNG, H ; DUDLEY, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 187 (1998), Heft 1, S. 9-17
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Molecular beam epitaxy growth and characterizations of AlGaAsSb/AlAsSb Bragg reflectors on InP
    GENTY, F ; ALMUNEAU, G ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 183 (1998), Heft 1-2, S. 15-22
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Low temperature planar regrowth of semi-insulating InP by low pressure hydride vapour phase epitaxy for device application
    ALEXANDRE, F ; PARILLAUD, O ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 187 (1998), Heft 3-4, S. 347-354
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effects of heat-up procedure and grating depth on the erosion of InGaAs grating
    JEONG SOO, KIM ; PARK, C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 179 (1997), Heft 3-4, S. 391-396
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Crystal and molecular structure of the lithium p-nitrosophenolate dihydrate dimer : an example of a strong dependence of the π-electron cooperative substituent effect on the hydrogen-bonding network in the crystal lattice
    KRYGOWSKI, T. M ; ANULEWICZ, R ; et al.
    In: Journal of molecular structure, Jg. 324 (1994), Heft 3, S. 251-259
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Investigation of the photoelectronic properties of rare earth monophosphides
    MENG, JIAN ; REN, YUFANG
    In: Solid state communications, Jg. 80 (1991), Heft 7, S. 485-488
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A comparative study of gel grown and space grown lead hydrogen phosphate crystals
    ROBERT, M. C ; LEFAUCHEUX, F ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 88 (1988), Heft 4, S. 499-510
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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