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    Identification and gas phase kinetics of radical species in Cat-CVD processes of SiH4
    NOZAKI, Yoshitaka ; KITAZOE, Makiko ; et al.
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 47-50
    Konferenz
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    Growth mechanisms and structural properties of microcrystalline silicon films deposited by catalytic CVD
    NIIKURA, C ; KIM, S. Y ; et al.
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 178-183
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The role of hydrogen dilution of silane and phosphorus doping on hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) films prepared by hot-wire chemical vapor deposition (HW-CVD) technique
    JADKAR, S. R ; SALI, J. V ; et al.
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 206-212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Correlated structural and electronic properties of microcrystalline silicon films deposited at low temperature by catalytic CVD
    BOUREE, J. E
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 157-162
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Hot-wire CVD-grown microcrystalline silicon films with and without initial growing layer modification by transformer-coupled plasma
    KIM, D. Y ; AHN, B. J ; et al.
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 184-187
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Monitoring of an interlayer between Si(100) and a TiO2 layer formed during cyclic CVD
    YONG SEOK, CHO ; JUNG SHIK, HEO ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 12 (2006), Heft 11, S. 659-664
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    LP-CVD silicon-based film formation in submicrometer trenches in industrial equipment: Experiments and simulation
    GRIS, Hervé ; CAUSSAT, Brigitte ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 8 (2002), Heft 5, S. 213-219
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Incubation time during the CVD of Si onto SiO2 from silane
    KAJIKAWA, Yuya ; TSUCHIYA, Toshihiro ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 10 (2004), Heft 3, S. 128-133
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Highly conductive boron-doped nanocrystalline silicon-carbide film prepared by low-hydrogen-dilution photo-CVD method using ethylene as a carbon source
    SEUNG YEOP, MYONG ; HYUNG KEW, LEE ; et al.
    In: Journal of non-crystalline solids, Jg. 298 (2002), Heft 2-3, S. 131-136
    academicJournal
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    Pentamethylcyclopentadienyl disilane as a novel precursor for the CVD of thin silicon films
    KLIPP, A ; HAMELMANN, F ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 6 (2000), Heft 2, S. 63-66
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Vapor pressures of precursors for the CVD of silicon-based films
    ALCOTT, Gregory R ; VAN DE SANDEN, Richard M. C. M ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 10 (2004), Heft 1, S. 20-22
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    CVD growth of silicon films at high rates
    HOFSTÄTTER, M ; ATAKAN, B ; et al.
    In: EUROCVD 13: Thirteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition, Glyfada, Athens, Greece, August 26-31, 2001, Jg. 83 (2001), S. Pr3.293
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Gas phase and surface kinetic processes in polycrystalline silicon hot-wire chemical vapor deposition
    HOLT, J. K ; SWIATEK, M ; et al.
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 29-35
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Formation of nanocrystalline silicon dots from chlorinated materials by RF plasma-enhanced chemical vapor deposition
    SHIRAI, Hajime ; FUJIMURA, Yukihiro ; et al.
    In: Proceedings of the 14th symposium on plasma science for materials (SPSM14), Tokyo, Japan, 13-14 June 2001, Jg. 407 (2002), Heft 1-2, S. 12-17
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effects of oxygen partial pressure on the nucleation behavior and morphology of chemically-vapor-deposited zirconia on Hi-Nicalon fiber and Si
    JINIL, LEE ; HAO, LI ; et al.
    In: Journal of the American Ceramic Society, Jg. 86 (2003), Heft 12, S. 2031-2036
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Crystal growth in silicon chemical vapor deposition from silane: The role of hydrogen
    TAO, M ; HUNT, L. P
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 144 (1997), Heft 6, S. 2221-2225
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    PECVD of hydrogenated silicon thin films from SiH4 + H2 + Si2H6 mixtures
    HAMMAD, A ; AMANATIDES, F ; et al.
    In: Proceedings of Symposium D on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics, Jg. 451-52 (2004), S. 255-258
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth of hafnium dioxide thin films by liquid-injection MOCVD using alkylamide and hydroxylamide precursors
    WILLIAMS, Paul A ; JONES, Anthony C ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 9 (2003), Heft 6, S. 309-314
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    New Si atomic-layer-controlled growth technique with thermally cracked hydride molecule
    SUDA, Yoshiyuki ; HOSOYA, Naoyuki ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1404-1409
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low-pressure chemical vapour deposition growth of epitaxial silicon selective to silicon nitride
    LLOYD, N. S ; BONAR, J. M
    In: European Materials Research Society (E-MRS) 2001, Spring Meeting, Symposium D: Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, Strasbourg, France, June 4-8th 2001, Jg. 89 (2002), Heft 1-3, S. 310-313
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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