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    Single-source cvd of 3C-SiC films in a LPCVD reactor. II. Reactor modeling and chemical kinetics
    VALENTE, Gianluca ; WIJESUNDARA, Muthu B. J ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 3, S. C215- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis and modeling of low pressure CVD of silicon nitride from a silane-ammonia mixture. I. Experimental study and determination of a gaseous phase mechanism
    YACOUBI, K ; AZZARO-PANTEL, C ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 8, S. 3009-3017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Classical and dynamic analysis of gas phase reactivity: Influence of carbon precursor in the CVD of SiC
    DE PERSIS, Stéphanie ; TEYSSANDIER, Francis ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 4, S. C236- (9S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis and modeling of low pressure CVD of silicon nitride from a silane-ammonia mixture. II. Deposition modeling
    YACOUBI, K ; AZZARO-PANTEL, C ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 8, S. 3018-3027
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Three-dimensional predictions of silicon deposition in a barrel type CVD reactor
    YANG, L ; FAROUK, B ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 139 (1992), Heft 9, S. 2666-2673
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of hydrogen pressure on the properties of CVD tungsten silicide films
    THOMAS, N ; DUTRON, A. M ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 142 (1995), Heft 5, S. 1608-1614
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of CVD of silicon dioxide using TEOS and ozone in a single-wafer reactor
    EUI JUNG, KIM ; GILL, W. N
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 12, S. 3462-3472
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A thermodynamic analysis of selective area CVD of titanium nitride compound by the alternating cyclic method
    WANG, Q. S ; REISMAN, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 4, S. 1086-1094
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Chemical boundary layers in CVD. I, Irreversible reactions
    DE CROON, M. H. J. M ; GILING, L. J
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 137 (1990), Heft 9, S. 2867-2876
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On three-dimensional transport phenomena in CVD processes
    RHEE, S ; SZEKELY, J ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987), Heft 10, S. 2552-2559
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low pressure CVD of silicon nitride
    ROENIGK, K. F ; JENSEN, K. F
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987), Heft 7, S. 1777-1785
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CVD in stagnation point flow: an evaluation of the classical 1D treatment
    HOUTMAN, C ; GRAVES, D. B ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986), Heft 5, S. 961-970
    academicJournal
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    Evaluation of one-dimensional solutions for CVD reactors
    VRENTAS, J. S ; VRENTAS, C. M
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 135 (1988), Heft 12, S. 3167-3169
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Convective effects in CVD reactors
    VRENTAS, J. S ; VRENTAS, C. M
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 135 (1988), Heft 8
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    An investigation of particle dynamics in a rotating disk chemical vapor deposition reactor
    KREMER, D. M ; DAVIS, R. W ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003), Heft 2, S. G127- (13S.)
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Homogeneous and heterogeneous chemistry models of the codeposition of silica, alumina, and aluminosilicates: Development and experimental validation
    NITODAS, Stephanos F ; SOTIRCHOS, Stratis V
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 149 (2002), Heft 11, S. C555- (12S.)
    academicJournal
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    High-temperature kinetics of AlCl3 decomposition in the presence of additives for chemical vapor deposition
    CATOIRE, Laurent ; SWIHART, Mark T
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 149 (2002), Heft 5, S. C261- (7S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Development and validation of a mathematical model for the chemical vapor deposition of alumina from mixtures of aluminum trichloride, carbon dioxide, and hydrogen
    NITODAS, Stephanos F ; SOTIRCHOS, Stratis V
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 149 (2002), Heft 2, S. C130- (12S.)
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Modeling of silicon dioxide chemical Vapor Deposition from tetraethoxysilane and ozone
    ROMET, S ; COUTURIER, M. F ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 2, S. G82- (9S.)
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Modeling of silicon carbide epitaxial growth in hot-wall chemical vapor deposition processes
    LOFGREN, P. M ; JI, W ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 1, S. 164-175
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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