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    InGaN multiple quantum wells grown on ELO GaN templates and the optical properties characterization
    HAILONG, ZHOU ; CHUA, S. J ; et al.
    In: Thirteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIII), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, 22-26 May 2006, Jg. 298 (2007), S. 511-514
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High quality AlGaN grown on ELO AlN/sapphire templates
    ZEIMER, U ; KUELLER, V ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 377 (2013), S. 32-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Microstructures of two-step facet-controlled ELO-GaN grown by MOVPE method- effect of mask geometry
    HORIBUCHI, K ; KUWANO, N ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1070-1074
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electron microscopy analyses of microstructures in ELO-GaN
    KUWANO, Noriyuki ; HORIBUCHI, Kayo ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1047-1054
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Carrier-gas dependence of ELO GaN grown by hydride VPE
    MIYAKE, H ; BOHYAMA, S ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1055-1059
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    All-optical characterization of carrier lifetimes and diffusion lengths in MOCVD-, ELO-, and HVPE-grown GaN
    MALINAUSKAS, T ; ALEKSIEJUNAS, R ; et al.
    In: First International Symposium on Growth of Nitrides (ISGN-1), Linköping, 4-7 June 2006, Jg. 300 (2007), Heft 1, S. 223-227
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of the epitaxial-lateral-overgrowth (ELO) process for GaN on sapphire
    ZHONGHAI, YU ; JOHNSON, M. A. L ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 333-339
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Defect identification in homoepitaxial- and ELO-grown GaN layers using bound-exciton Zeeman spectroscopies
    KURAI, S ; YAMADA, Y ; et al.
    In: Proceedings of the Eighth International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Narita, Japan, September 15-18, 1999, Jg. 210 (2000), Heft 1-3, S. 216-219
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A novel method to grow high quality In1-xGaxAs ELO and bridge layers with high indium compositions
    BALAKRISHNAN, K ; IIDA, S ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1525-1530
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dislocation-free large area InP ELO layers by liquid phase epitaxy
    KOCHIYA, Toshio ; OYAMA, Yutaka ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 281 (2005), Heft 2-4, S. 263-274
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers
    IMURA, Masataka ; NAKANO, Kiyotaka ; et al.
    In: Thirteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIII), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, 22-26 May 2006, Jg. 298 (2007), S. 257-260
    Konferenz
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    Growth of freestanding GaN using pillar-epitaxial lateral overgrowth from GaN nanocolumns
    BOUGRIOUA, Z ; GIBART, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 309 (2007), Heft 2, S. 113-120
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Microstructure in nonpolar m-plane GaN and AlGaN films
    NAGAI, T ; KAWASHIMA, T ; et al.
    In: Thirteenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIII), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, 22-26 May 2006, Jg. 298 (2007), S. 288-292
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    X-ray diffraction studies of epitaxial laterally overgrown (ELOG) GaN layers on sapphire substrates
    DOMAGALA, J. Z ; ZYTKIEWICZ, Z. R ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 245 (2002), Heft 1-2, S. 37-49
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improvements in epitaxial lateral overgrowth of InP by MOVPE
    JULIAN, Nick H ; MAGES, Phil A ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 402 (2014), S. 234-242
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Pulsed epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapour phase epitaxy
    LIU, C ; SHIELDS, P. A ; et al.
    In: First International Symposium on Growth of Nitrides (ISGN-1), Linköping, 4-7 June 2006, Jg. 300 (2007), Heft 1, S. 104-109
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Metamorphic molecular beam epitaxy growth and selective wet etching for epitaxial layer lift-off of AlAsSb toward optical waveguides with high optical confinement
    GOZU, Shin-Ichiro ; AKAHANE, Kouichi ; et al.
    In: 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-XIV), 3-8 September 2006, Tokyo, Japan, Jg. 301-302 (2007), S. 955-958
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE
    OKADA, N ; KATO, N ; et al.
    In: First International Symposium on Growth of Nitrides (ISGN-1), Linköping, 4-7 June 2006, Jg. 300 (2007), Heft 1, S. 141-144
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial lateral overgrowth of GaN on selected-area Si(1 1 1) substrate with nitrided Si mask
    NAOI, Hiroyuki ; NARUKAWA, Mitsuhisa ; et al.
    In: ICMOVPE-XI: Proceedings of the Eleventh International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Berlin, Germany, 3-7 June 2002, Jg. 248 (2003), S. 573-577
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Impurity incorporation in epitaxially laterally overgrown GaN detected by cryogenic photoluminescence microscope with sub-micron spatial resolution
    YOSHIMOTO, Masahiro ; SARAIE, Junji ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1075-1078
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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