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    The effects of thermal treatments on the electrical properties of phosphorus doped ZnO layers grown by MBE
    TAMPO, H ; SHIBATA, H ; et al.
    In: MBE XIII, 2004: 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Edinburgh, UK, 22-27 August 2004, Jg. 278 (2005), Heft 1-4, S. 268-272
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Natural ordering of ZnO1-xSex grown by radical source MBE
    IWATA, K ; YAMADA, A ; et al.
    In: Molecular beam epitaxy 2002: proceedings of the twelfth international conference on molecular beam epitaxy, San Francisco, CA, USA, 15-20 September 2002, Jg. 251 (2003), Heft 1-4, S. 633-637
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Molecular beam epitaxial growth and characterization of CuInSe2 and CuGaSe2 for device applications
    NIKI, S ; YAMADA, A ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 3, Jg. 237-39 (2002), S. 1993-1999
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Growth of N-doped and Ga + N-codoped ZnO films by radical source molecular beam epitaxy
    NAKAHARA, K ; TAKASU, H ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the thirteen International Conference on Crystal Growth in conjuction with the eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July-4 August 2001. Part 1, Jg. 237-39 (2002), S. 503-508
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Nucleation and growth of ZnO on (1120) sapphire substrates using molecular beam epitaxy
    FONS, P ; IWATA, K ; et al.
    In: Molecular Beam Epitaxy 2000. Proceedings of the Eleventh International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Beijing, China, 11-15 September 2000, Jg. 227-28 (2001), S. 911-916
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Growth and characterization of undoped ZnO films for single crystal based device use by radical source molecular beam epitaxy (RS-MBE)
    NAKAHARA, K ; TAKASU, H ; et al.
    In: Molecular Beam Epitaxy 2000. Proceedings of the Eleventh International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Beijing, China, 11-15 September 2000, Jg. 227-28 (2001), S. 923-928
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ZnO growth on Si by radical source MBE
    IWATA, K ; FONS, P ; et al.
    In: Proceedings of the 9th international conference on II-VI compounds, Kyoto, Japan, 1-5 November 1999, Jg. 214-15 (2000), S. 50-54
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Uniaxial locked growth of high-quality epitaxial ZnO films on (1 1 2 0)α-Al2O3
    FONS, P ; IWATA, K ; et al.
    In: Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques 1999: Proceedings of the Seventh International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques, Tsukuba, Japan, July 28-30, Jg. 209 (2000), Heft 2-3, S. 532-536
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Nitrogen-induced defects in ZnO : N grown on sapphire substrate by gas source MBE
    IWATA, K ; FONS, P ; et al.
    In: Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques 1999: Proceedings of the Seventh International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques, Tsukuba, Japan, July 28-30, Jg. 209 (2000), Heft 2-3, S. 526-531
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Growth of high-quality epitaxial ZnO films on α-Al2O3
    FONS, P ; IWATA, K ; et al.
    In: Molecular beam epitaxy 1998, Jg. 201202 (1999), S. 627-632
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Control of intrinsic defects in molecular beam epitaxy grown CuInSe2
    NIKI, S ; FONS, P. J ; et al.
    In: Molecular beam epitaxy 1998, Jg. 201202 (1999), S. 1061-1064
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The strain energy density of cubic epitaxial layers
    BOTTOMLEY, D. J ; FONS, P
    In: Journal of crystal growth, Jg. 160 (1996), Heft 3-4, S. 406-412
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Determination of the lattice constants of epitaxial layers
    BOTTOMLEY, D. J ; FONS, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 154 (1995), Heft 3-4, S. 401-409
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigation of the growth rate of β-cyclodextrin in water during both flow-cell and batch experiments
    KOHL, M ; PUEL, F ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 270 (2004), Heft 3-4, S. 633-645
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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