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    A sensitivity and linearity improvement of a 100-dB dynamic range CMOS image sensor using a lateral overflow integration capacitor
    AKAHANE, Nana ; SUGAWA, Shigetoshi ; et al.
    In: 2005 Symposium on VLSI Circuits, Jg. 41 (2006), Heft 4, S. 851-858
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Integrating ENSEMBLE™ PMD low-k at the PMD level of CMOS logic circuits
    DEMUYNCK, S ; DE MARNEFFE, J. F ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2303-2308
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    On-Chip Combined C-V/I-V Characterization System in 45-nm CMOS Technology
    REALOV, Simeon ; SHEPARD, Kenneth L
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 48 (2013), Heft 3, S. 814-826
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Logical effort based dynamic power estimation and optimization of static CMOS circuits
    KABBANI, A
    In: Integration (Amsterdam), Jg. 43 (2010), Heft 3, S. 279-288
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Phase Noise Degradation Considering Switch Transistor Capacitances for CMOS Voltage Controlled Oscillators : Analog Circuits and Related SoC Integration Technologies
    MURAKAMI, Rui ; HARA, Shoichi ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 93 (2010), Heft 6, S. 777-784
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Linearization of CMOS broadband power amplifiers through combined multigated transistors and capacitance compensation
    CHAO, LU ; PHAM, Anh-Vu H ; et al.
    In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 55 (2007), Heft 11, S. 2320-2328
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Impact of gate-oxide tunneling on mixed-signal design and simulation of a nano-CMOS VCO
    KOUGIANOS, Elias ; MOHANTY, Saraju P
    In: Microelectronics journal, Jg. 40 (2009), Heft 1, S. 95-103
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A one-step input matching method for cascode CMOS low-noise amplifiers
    SUN, Ming-Chang ; SHU, Ying-Haw ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 88 (2005), Heft 3, S. 420-428
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Ultrathin-body SOI devices as a CMOS technology downscaling option : RF perspective
    NUTTINCK, Sebastien
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 5, S. 1193-1199
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Millimeter-wave CMOS device modeling and simulation
    DOAN, Chinh H ; EMAMI, Sohrab ; et al.
    In: 2004 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (proceedings), 2004, S. 524-527
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Enhancement of manufacturibility in polycrystalline silicon process by using disilane precursor at 65nm CMOS technology
    YUANNING, CHEN ; HAOWEN, BU ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices II (San Antonio TX, 10-12 May 2004), 2004, S. 244-251
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    CMOS active pixel sensor achieving 90 dB dynamic range with column-level active reset
    YANDONG, CHEN ; KLEINFELDER, Stuart
    In: Sensors and camera systems for scientific, industrial, 2004, S. 438-449
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 60-GHz CMOS VCO Using Capacitance-Splitting and Gate-Drain Impedance-Balancing Techniques
    LIANMING, LI ; REYNAERT, Patrick ; et al.
    In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 59 (2011), Heft 2, S. 406-413
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Subthreshold, Varactor-Driven CMOS Floating-Gate Current Memory Array With Less Than 150-ppm/°K Temperature Sensitivity
    MING, GU ; CHAKRABARTTY, Shantanu
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 47 (2012), Heft 11, S. 2846-2856
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Single InAs/GaSb Nanowire Low-Power CMOS Inverter
    DEY, Anil W ; SVENSSON, Johannes ; et al.
    In: Nano letters (Print), Jg. 12 (2012), Heft 11, S. 5593-5597
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Transmission Gates Combined With Level-Restoring CMOS Gates Reduce Glitches in Low-Power Low-Frequency Multipliers
    CARBOGNANI, Flavio ; BUERGIN, Felix ; et al.
    In: IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, Jg. 16 (2008), Heft 7, S. 830-836
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 1-V Process-Insensitive Current-Scalable Two-Stage Opamp With Enhanced DC Gain and Settling Behavior in 65-nm Digital CMOS
    TAHERZADEH-SANI, Mohammad ; HAMOUI, Anas A
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 46 (2011), Heft 3, S. 660-668
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 5.5-mW +9.4-dBm IIP3 1.8-dB NF CMOS LNA Employing Multiple Gated Transistors With Capacitance Desensitization
    TAE HWAN, JIN ; TAE WOOK, KIM
    In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 58 (2010), Heft 10, S. 2529-2537
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Bandwidth extension techniques for CMOS amplifiers
    SHEKHAR, Sudip ; WALLING, Jeffrey S ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 41 (2006), Heft 11, S. 2424-2439
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    5-GHz oscillator array with reduced flicker up-conversion in 0.13-μm CMOS
    ROMANO, Luca ; BONFANTI, Andrea ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 41 (2006), Heft 11, S. 2457-2467
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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