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    TEM Moiré pattern and scanning Auger electron miscroscope analysis of anomalous Si incorporation into MBE-grown Ge on Si(111)
    SUGII, K ; ISHIZAWA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 10, S. 3296-3300
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strain relaxation in MBE-grown Si1-x/Si(100) heterostructures by annealing
    YAGUCHI, H ; FUJITA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 8B, S. L1450- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and properties of MgO/Bi2Sr2CaCu2Ox interfaces using crystalline and amorphous MgO films grown by the MBE method
    YAMANO, K ; SHIMAOKA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 6A, S. 1765-1770
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Initial stages of GaAs MBE growth on Si(111)(√3×√3)-Ga surfaces
    MAEHASHI, K ; HASEGAWA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 1, S. L13- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved electron mobility of two-dimensional electron gas formed area-selectively in GaAs/AlGaAs heterostructure by focused Si ion beam implantation and MBE overgrowth
    KAWANO, A ; ARIMOTO, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 1, S. L71- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dependence of the Carrier concentration profile at the Si MBE layer/p-Si substrate interface on the Si substrate preparation method
    KANAYA, H ; SHIGEKAWA, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 2, S. L195- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during Si MBE growth on HF-treated Si(111) surface
    KUMAGAI, Y ; MATSUMOTO, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 8A, S. L1103- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Compensation mechanism in heavily Si-doped GaAs grown by MBE
    VEMATSU, M ; MAEZAWA, K
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 4, S. L527- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    SiGe passivation for Si MBE regrowth
    NIINO, T ; TATSUMI, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 9, S. L1702- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Preferential PtSi formation in thermal reaction between Pt and Si0.8Ge0.2 MBE layers
    KANAYA, H ; CHO, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 6, S. L850- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Influence of substrate misorientation of surface morphology of Be-doped GaAs grown by MBE
    MOCHIZUKI, K ; GOTO, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 7, S. L1046- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A study of cold dopant sources for gas source MBE : the use of disilane as an N-type dopant of AlxGa1-xAs (x = 0-0.28) and trimethylgallium as a P-type dopant of GaAs
    SANDHU, A ; FUJII, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 7, S. L1033- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Interdiffusion of Si and Ge atoms during gas-source MBE of Ge on Si(100) at 500-800°C
    SUEMITSU, M ; CHIBA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 9, S. L1591- (3S.)
    academicJournal
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    Positron study of vacancy-type defects induced by heavy doping into MBE-grown GaAs
    UEDONO, A ; TANIGAWA, S
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 2, S. L346- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Enhanced electron mobility in the inverted high electron mobility transistor structure by two-step molecular beam epitaxy (MBE) growth
    WASHIMA, M ; MISHIMA, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 6B, S. L830- (2S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Highly uniform Si-doped GaAs epitaxial layers grown by MBE using a TEG, arsenic, and silicon system
    ONO, K ; SAITO, J ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 7, S. 1248-1249
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of arsenic pressure on donor and acceptor concentration in Si doped MBE GaAs layers
    CHAIX, C ; RADISSON, A ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 10, S. 1908-1909
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Doping characteristics of gas-source MBE-grown n-AlxGa1-xAs (x=0-0.28) doped using disilane
    FUJII, T ; ADARSH, SANDHU ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 11, S. 2386-2387
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Ultra-high throughput of GaAs and (AlGa)As layers grown by molecular beam epitaxy (MBE) with a specially designed MBE system
    SONODA, T ; ITO, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 3, S. 337-343
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Accommodation of large lattice mismatch of GaP on GaAs(100) and GaAs on GaP(100) layers grown by MBE
    NOMURA, T ; MAEDA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 908-911
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
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