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    Un nouveau modèle de codiffusion dans le silicum polycristallin utilisé en technologie BiCMOS / A new model for codiffusion in polycrystalline silicon specified to BiCMOS technology
    GONTRAND, C ; HADDAB, Y ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 10 (1995), Heft 10, S. 1393-1403
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Caractérisation des états d'interface dans des transistors MOS submicroniques par différentes techniques de pompage de charge
    Characterization of interface states in submicrometer MOS transistors by different charge pumping techniques
    In: Journal de physique. III (Print), Jg. 3 (1993), Heft 10, S. 1947-1961
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -