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    Ultra-High Mobility in Dielectrically Pinned CVD Graphene
    Nashed, R. ; Pan, C. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016-11-01), Heft 6, S. 466-466
    Online academicJournal
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    30-nm scale fabrication of magnetic tunnel junctions using EB assisted CVD hard masks
    Isogami, S. ; Tsunoda, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 41 (2005-10-01), Heft 10, S. 3607-3609
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Mist-CVD Grown Sn-Doped $\alpha $ -Ga2O3 MESFETs
    Dang, G.T. ; Kawaharamura, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-11-01), Heft 11, S. 3640-3640
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High collection efficiency CVD diamond alpha detectors
    Bergonzo, P. ; Foulon, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 45 (1998-06-01), Heft 3, S. 370-373
    Online academicJournal
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    Electrostatic deposition of CVD particles for fabrication of ultrafine ceramic filter
    Yamamoto, H.
    In: IEEE Transactions on Industry Applications, Jg. 27 (1991-03-01), Heft 2, S. 307-310
    Online academicJournal
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    Epitaxial-base transistors with ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) epitaxy: enhanced profile control for greater flexibility in device design
    Harame, D.L. ; Stork, J.M.C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 10 (1989-04-01), Heft 4, S. 156-158
    Online academicJournal
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    Insulated-gate and junction-gate FET's of CVD-Grown β-SiC
    Furukawa, K. ; Hatano, A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 8 (1987-02-01), Heft 2, S. 48-49
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Frequency Tuning of Nanowire Resonator Using Electrostatic Spring Effect
    Kwon, J. ; Choi, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 45 (2009-05-01), Heft 5, S. 2332-2335
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Graphene-on-Insulator Transistors Made Using C on Ni Chemical-Vapor Deposition
    Kedzierski, J. ; Hsu, P. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-07-01), Heft 7, S. 745-747
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Integration of Reactive Polymeric Nanofilms Into a Low-Power Electromechanical Switch for Selective Chemical Sensing
    Arora, W. J. ; Tenhaeff, W. E. ; et al.
    In: Journal of Microelectromechanical Systems, Jg. 18 (2009-02-01), Heft 1, S. 97-102
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Design and Fabrication Issues in Affinity Cantilevers for bioMEMS Applications
    Kale, N. S. ; Ramgopal Rao, V.
    In: Journal of Microelectromechanical Systems, Jg. 15 (2006-12-01), Heft 6, S. 1789-1794
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Graphene-Based Ambipolar RF Mixers
    Wang, H. ; Hsu, A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-09-01), Heft 9, S. 906-908
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Fabrication of Alloy FeCoPt Particles by IBICVD and Their Characterization
    Pogoryelov, Y. ; Suzuki, T.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 43 (2007-02-01), Heft 2, S. 888-890
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A high-T/sub c/ Josephson junction on a narrow tungsten line formed by focused ion beam-chemical vapor deposition [of NdBaCuO].
    Morohashi, S. ; Utagawa, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Applied Superconductivity, Jg. 7 (1997-06-01), Heft 2, S. 2522-2525
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Process optimization and PFC emission reduction using a c-C/sub 4/F/sub 8/ chamber cleaning process on a novellus concept 1 dielectric PECVD tool
    Chan, E.M. ; Loh, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 17 (2004-11-01), Heft 4, S. 497-503
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    OMT-Coupled CMB Detector Development at Argonne.
    Cecil, Thomas ; Barry, Peter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Applied Superconductivity, Jg. 31 (2021-06-01), Heft 4, S. 1-4
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Lithography-Free Fabrication of Low-Operating Voltage-Driven, Very Large Channel Length Graphene Field-Effect Transistor With NH<subscript>3</subscript> Sensing Application.
    Chourasia, Nitesh K. ; Singh, Abhishek Kumar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), Heft 10, S. 4385-4391
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Lithography-Free Fabrication of Low-Operating Voltage-Driven, Very Large Channel Length Graphene Field-Effect Transistor With NH3 Sensing Application.
    Chourasia, Nitesh K. ; Singh, Abhishek Kumar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), Heft 10, S. 4385-4391
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High-Performance, Vacuum-Free, and Self-Powered CsPbIBr2 Photodetectors Boosted by Ultra-Wide-Bandgap Ga2O3 Interlayer.
    Zhang, Zeyulin ; Zhang, Wentao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-10-01), Heft 10, S. 1532-1535
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Micromachined thermal radiation emitter from a commercial CMOS process
    Parameswaran, M. ; Robinson, A.M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 12 (1991-02-01), Heft 2, S. 57-59
    Online academicJournal
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    Volltext
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