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    A Novel Scheme for Fabricating CMOS Inverters With Poly-Si Nanowire Channels
    Lee, I-Che ; Kuo, Chia-Hao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-06-01), S. 833-835
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    Simple Fabrication of a Three-Dimensional CMOS Inverter Using p-Type Poly-Si and n-Type Amorphous Ga–In–Zn–O Thin-Film Transistors
    Kim, Hye-Dong ; Mo, Yeon-Gon ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-09-01), S. 1236-1238
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    Ge-Blade Damascene Process for Post-CMOS Integration of Nano-Mechanical Resonators
    Bhave, Sunil A. ; Howe, Roger T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-08-01), S. 529-531
    Online unknown
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    Fabrication of self-aligned 90-nm fully depleted SOI CMOS SLOTFETs
    Yost, D.-R. ; Gouker, P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-07-01), S. 345-347
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    Transistor off-state leakage current induced by TiSi2 pre-amorphizing implant in a 0.20 μm CMOS process
    Scott, G. ; Manley, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000-04-01), S. 155-157
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    Tin oxide gas sensor fabricated using CMOS micro-hotplates and in-situ processing
    Cavicchi, Richard E. ; Gaitan, Michael ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 14 (1993-03-01), S. 118-120
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    Micromachined thermal radiation emitter from a commercial CMOS process
    Robinson, A.M. ; Blackburn, D.L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 12 (1991-02-01), S. 57-59
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    High-performance devices for a 0.15- mu m CMOS technology
    Sun, J.Y.-C. ; Crabbe, Emmanuel F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 14 (1993-10-01), S. 466-468
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    SOI/CMOS circuits fabricated in zone-melting-recrystallized Si films on SiO2-coated Si substrates
    Tsaur, Bor-Yeu ; Geis, Michael W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 3 (1982-12-01), S. 398-401
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A new CMOS structure with vertical p-channel transistors
    Yeh, W.C. ; Cook, K.B. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 4 (1983-06-01), S. 196-198
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    A process for the combined fabrication of ion sensors and CMOS circuits
    Meindl, James D. ; Shott, J.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 9 (1988), S. 44-46
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    A CMOS structure using beam-recrystallized polysilicon
    Kamins, Theodore I.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 3 (1982-11-01), S. 341-343
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Performance Enhanced Humidity Sensor by In-Situ Integration of Nanoforests
    Chen, Dapeng ; Dai, Xin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-04-01), S. 585-588
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    Fabrication of five-layered interconnection CMOS LSI using polyimide resist insulators
    Mutoh, N. ; Kakuda, N. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 6 (1985-11-01), S. 589-590
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    Interface characterization of silicon epitaxial lateral growth over existing SiO/sub 2/ for three-dimensional CMOS structures
    Friedrich, J.A. ; Neudeck, Gerold W.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 10 (1989-04-01), S. 144-146
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    H-Terminated Polycrystalline Diamond p-Channel Transistors on GaN-on-Silicon
    Soleimanzadeh, Reza ; Riyaz Abdul Khadar ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020), S. 119-122
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    One-gate-wide CMOS Inverter on laser-recrystallized polysilicon
    Gibbons, J. F. ; Lee, K.F.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 1 (1980-06-01), S. 117-118
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low-Temperature Monolithic Three-Layer 3-D Process for FPGA
    Chen, Shu-Lu ; Griffin, Peter B. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-08-01), S. 1044-1046
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Shallow junctions on pillar sidewalls for sub-100-nm vertical MOSFETs
    Ashburn, Peter ; Hall, Steve ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-08-01), S. 692-695
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    Characteristics of a Smiling Polysilicon Thin-Film Transistor
    Chen, Cheng-Hsin ; Eng, Yi-Chuen ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-06-01), S. 830-832
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