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    Sub-half-micrometer concave MOSFET with double LDD structure
    Hieda, K. ; Sunouchi, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992-03-01), Heft 3, S. 671-676
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Anomalous hot-carrier behavior for LDD p-channel transistors
    Doyle, B.S. ; Mistry, K.R.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 14 (1993-11-01), Heft 11, S. 536-538
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    The use of disposable double spacer and self-aligned cobalt silicide for LDD MOSFET fabrication
    Ronkainen, H. ; Drozdy, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 12 (1991-03-01), Heft 3, S. 125-127
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Double LDD concave (DLC) structure for sub-half micron MOSFET
    Sunouchi, K. ; Takato, H. ; et al.
    In: Technical Digest., International Electron Devices Meeting, 1988, S. 226-229
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Performance 70-nm Germanium pMOSFETs With Boron LDD Implants
    Hellings, G. ; Mitard, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009), S. 88-90
    Online unknown
    Zugriff:
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A novel gate-overlapped LDD poly-Si thin-film transistor
    Choi, Kwon-Young ; Han, Min-Koo
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-12-01), S. 566-568
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    The use of disposable double spacer and self-aligned cobalt silicide for LDD MOSFET fabrication
    Franssila, S. ; Drozdy, G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 12 (1991), Heft 3, S. 125-127
    Online unknown
    Zugriff:
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Design and Fabrication of Asymmetric MOSFETs Using a Novel Self-Aligned Structure
    Kim, J. P. ; Choi, W. Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-11-01), Heft 11, S. 2969-2974
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Oxide uniformity and dimer ratio effects on overall phosphorous dose uniformity in a non-mass resolved ion implanter
    Shao, Yan ; Mo, Guan ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2000, S. 480-483
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Gate-overlapped lightly doped drain poly-Si thin-film transistors for large area-AMLCD
    Choi, Kwon-Young ; Lee, Jong-Wook ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-06-01), Heft 6, S. 1272-1279
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A self-aligned elevated source/drain MOSFET
    Pfiester, J.R. ; Sivan, R.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 11 (1990-09-01), Heft 9, S. 365-367
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A new cell structure with a spread source/drain (SSD) MOSFET and a cylindrical capacitor for 64-Mb DRAM's
    Yamada, T. ; Samata, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991-11-01), Heft 11, S. 2481-2486
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High-performance 0.10- mu m CMOS devices operating at room temperature
    Iwase, M. ; Mizuno, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 14 (1993-02-01), Heft 2, S. 51-53
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Oxide uniformity and dimer ratio effects on overall phosphorous dose uniformity in a non-mass resolved ion implanter
    Wenzel, K.W. ; Mo, Guan ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2003-07-10
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A MOS Transistor with self-aligned polysilicon source—drain
    Huang, Tiao-Yuan ; Wu, I-Wei ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 7 (1986-05-01), Heft 5, S. 314-316
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Updated technology of ion implantation applicable low-temperature poly-Si TFT process
    Yuda, S. ; Yamada, T. ; et al.
    In: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432), 2003-07-10
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A MOS Transistor with self-aligned polysilicon source—drain
    Chen, J.Y. ; Huang, Tiao-Yuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 7 (1986-05-01), S. 314-316
    Online unknown
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A double layer metal CHMOS III technology
    McCollum, J. ; Smudski, J. ; et al.
    In: 1984 International Electron Devices Meeting, 1984
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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