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    Research on a Highly Sensitive Magnetic-Catalytic CMOS-MEMS Compatible Gas Sensor
    SHEN, Chih-Hsiung ; KE, Shi-Ching
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 120-122
    Online academicJournal
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    28-nm 2T High-K Metal Gate Embedded RRAM With Fully Compatible CMOS Logic Processes
    CHIN YU, MEI ; WEN CHAO, SHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1253-1255
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Young's modulus measurements in standard IC CMOS processes using MEMS test structures
    MARSHALL, Janet C ; HERMAN, David L ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 960-963
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effect of B2H6 Plasma Doping on the Shallow Trench Isolation in CMOS Image Sensor Device
    SUNG GYU, PYO ; JI HWAN, PARK ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 11, S. 1580-1582
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Advanced CMOS-MEMS Resonator Platform
    LI, Cheng-Syun ; HOU, Li-Jen ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 2, S. 272-274
    Online academicJournal
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    A micromachined CMOS distributed amplifier by CMOS compatible ICP deep-trench technology
    TAO, WANG ; CHEN, Chun-Hao ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 291-293
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Molecular Electronic Transducer-Based Low-Frequency Accelerometer Fabricated With Post-CMOS Compatible Process Using Droplet as Sensing Body
    HAI, HUANG ; MENGBING, LIANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1304-1306
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Three-Dimensional Photoacoustic Imaging by a CMOS Micromachined Capacitive Ultrasonic Sensor
    LI, Meng-Lin ; WANG, Po-Hsun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1149-1151
    Online academicJournal
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    Volltext
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    High-performance fully depleted silicon nanowire (diameter ≤ 5 nm) gate-all-around CMOS devices
    SINGH, N ; AGARWAL, A ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 5, S. 383-386
    Online academicJournal
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    RF Model of BEOL Vertical Natural Capacitor (VNCAP) Fabricated by 45-nm RF CMOS Technology and Its Verification
    IN MAN, KANG ; JUNG, Seung-Jae ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 5, S. 538-540
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Novel Five-Photo-Mask Low-Temperature Polycrystalline-Silicon CMOS Structure With Improved Contact Resistance
    LEE, Seok-Woo ; PARK, Soo-Jeong ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 1, S. 42-44
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Three-dimensional wafer stacking via Cu-Cu bonding integrated with 65-nm strained-Si/low-k CMOS technology
    MORROW, P. R ; PARK, C.-M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 5, S. 335-337
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Integrated CMOS-MEMS with on-chip readout electronics for high-frequency applications
    VERD, J ; URANGA, A ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 6, S. 495-497
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Robust Array-Composite Micromachined Thermopile IR Detector by CMOS Technology
    DEHUI, XU ; BIN, XIONG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 12, S. 1761-1763
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Sub-30-nm FUSI CMOS Transistors Fabricated by Simple Method Without Additional CMP Process
    FUKUTOME, Hidenobu ; HOSAKA, Kimihiko ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 7, S. 765-767
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CMOS Micromachined Inductors With Structure Supports for RF Mixer Matching Networks
    WU, Jerry C ; ZAGHLOUL, Mona E
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 11, S. 1209-1211
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A New Antifuse Cell With Programmable Contact for Advance CMOS Logic Circuits
    CHEN, Maybe ; HUANG, Chia-En ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 5, S. 522-524
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Novel Scheme for Fabricating CMOS Inverters With Poly-Si Nanowire Channels
    KUO, Chia-Hao ; LIN, Horng-Chih ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 833-835
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Tensile-strained germanium CMOS integration on silicon
    ZANG, H ; LOH, W. Y ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 12, S. 1117-1119
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A small OCA on a 1 x 0.5-mm2 2.45-GHz RFID tag-design and integration based on a CMOS-compatible manufacturing technology
    GUO, L. H ; POPOV, A. P ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 2, S. 96-98
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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