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    CVD growth of carbon nanotubes on catalyst patterns generated with AFM lithography
    ORTEGA-CERVANTEZ, G ; RUEDA-MORALES, G ; et al.
    In: Photovoltaics, Solar Energy Materials & Thin Films - IMRC 2006, Cancun, Mexico, Jg. 18 (2007), Heft 11, S. 1163-1166
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Formation of low-resistivity poly-Si and SiNx films by Cat-CVD for ULSI application
    MORIMOTO, Rui ; YOKOMORI, Chisato ; et al.
    In: Proceedings of the Second International Conference on Cat-CVD (Hot Wire CVD) Process, Denver, Colorado, USA, September 10-13, 2002, Jg. 430 (2003), Heft 1-2, S. 230-235
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Rapid formation of 200 m-long YBCOo coated conductor by multi-stage CVD
    WATANABE, Tomonori ; KASHIMA, Naoji ; et al.
    In: The 2006 applied superconductivity conference, Seattle, WA, August 27-September 1, 2006. Part III of three parts, Jg. 17 (2007), Heft 2, S. 3386-3389
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Graphitic tube transformation of FIB-CVD pillar by Joule heating with flash discharge
    FUJITA, Jun-Ichi ; NAKAZAWA, Shotaro ; et al.
    In: Proceedings of the 32nd International Conference on Micro- and Nano-Engineering, Barcelona, 17-20 September 2006, Jg. 84 (2007), Heft 5-8, S. 1507-1510
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Copper metallization based on direct-liquid-injection hot-wire CVD
    PAPADIMITROPOULOS, G ; DAVAZOGLOU, D
    In: Proceedings of the 32nd International Conference on Micro- and Nano-Engineering, Barcelona, 17-20 September 2006, Jg. 84 (2007), Heft 5-8, S. 1148-1151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    DC, RF and noise performance of InAs/AlSb HEMTs with in situ CVD SiNx-film for early-protection against oxidation
    MOSCHETTI, Giuseppe ; LEFEBVRE, Eric ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 87 (2013), S. 85-89
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ultra thin CVD TiN layers as diffusion barrier films on porous low-k materials
    BONITZ, J ; SCHULZ, S. E ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2004. Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2004, Brussels, Belgium, March 7-10, Jg. 76 (2004), Heft 1-4, S. 82-88
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with multi-MgxNy/GaN buffer and Photo-CVD SiO2 gate dielectric
    LEE, K. H ; CHANG, P. C ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 72 (2012), S. 38-43
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparisons of SiN Passivation Film Deposited by PE-CVD and T-CVD Method for AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrate : Fundamentals and applications of advanced semiconductor devices
    OKITA, Hideyuki ; MARUI, Toshiharu ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 92 (2009), Heft 5, S. 686-690
    academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Selective deposition of CVD iron on silicon dioxide and tungsten
    LOW, Y. H ; BAIN, M. F ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2229-2233
    Konferenz
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    Preliminary results on a-SiC:H based thin film light emitting diode by hot wire CVD
    PATIL, Samadhan B ; KUMBHAR, Alka A ; et al.
    In: Proceedings of the Second International Conference on Cat-CVD (Hot Wire CVD) Process, Denver, Colorado, USA, September 10-13, 2002, Jg. 430 (2003), Heft 1-2, S. 257-260
    Konferenz
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    Fabrication of coated conductors by multiple-stage CVD
    KASHIMA, Naoji ; NIWA, Toshiharu ; et al.
    In: The 2004 Applied Superconductivity Conference, Jacksonville, FL, USA, October 3-8, Jg. 15 (2005), Heft 2, S. 2763-2766
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Barrier Properties of CVD Mn Oxide Layer to Cu Diffusion for 3-D TSV
    LEE, Kang-Wook ; HAO, WANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 114-116
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A low-temperature CVD process for silicon carbide MEMS
    STOLDT, Conrad R ; CARRARO, Carlo ; et al.
    In: Transducers'01 Eurosensors XV, Munich, Germany, 10-14 June 2001, Jg. 97-98 (2002), S. 410-415
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Enabling and cost effective TiCl4 based PECVD Ti and CVD TiN processes for gigabit DRAM technology
    SRINIVAS, R. A ; MING, XI ; et al.
    In: Multilevel interconnect technology III (Santa Clara CA, 22-23 September 1999), 1999, S. 137-147
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Logic Inverter Implemented with CVD-Assembled Graphene FET on Hexagonal Boron Nitride
    KIM, Edwin ; JAIN, Nikhil ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 3, S. 619-623
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Cu Single Damascene Integration of an Organic Nonporous Ultralow-k Fluorocarbon Dielectric Deposited by Microwave-Excited Plasma-Enhanced CVD
    XUN, GU ; NEMOTO, Takenao ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 5, S. 1445-1453
    Online academicJournal
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    Electron emissions from CVD diamond surfaces
    ITO, T ; WATANABE, T ; et al.
    In: Proceedings of Diamond 2002, the 13th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide, Granada, Spain, 3-8 September 2002, Jg. 12 (2003), Heft 3-7, S. 434-441
    Konferenz
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    Temperature Distribution and Deposition Rate on Semiconductor Wafers in Low-Pressure CVD Equipment Processing Two Wafers
    WATANABE, Tomoji ; HIRASAWA, Shigeki
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 26 (2013), Heft 4, S. 572-577
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Observation of sharp current peaks in resonant tunneling diode with strained Si0.6Ge0.4/Si(1 0 0) grown by low-temperature low-pressure CVD
    PING, HAN ; SAKURABA, M ; et al.
    In: Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques 1999: Proceedings of the Seventh International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques, Tsukuba, Japan, July 28-30, Jg. 209 (2000), Heft 2-3, S. 315-320
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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