Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
12 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

12 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    A high reliability GaN HEMT with SiN passivation by cat-CVD
    KUNII, Tetsuo ; TOTSUKA, Masahiro ; et al.
    In: Technical digest 2004, 2004, S. 197-200
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Time-dependent dielectric breakdown in poly-Si CVD HfO2 gate stack
    LEE, S. J ; LEE, C. H ; et al.
    In: 2002 IEEE international reliability physics symposium proceedings (Dallas TX, 7-11 April 2002), 2002, S. 409-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    TDDB degradation analysis using Ea of leakage current for reliable porous CVD SiOC(k=2.45)/Cu interconnects
    YOSHIE, T ; YONEDA, K ; et al.
    In: IEEE 2004 international interconnect technology conference (Proccedings), 2004, S. 30-32
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Field emission properties from double walled carbon nanotubes produced by a catalytic CVD
    LEE, T. J ; CHOI, S. K ; et al.
    In: IVNC 2004 (technical digest of the 17th International Vacuum Nanoelectronics Conference), 2004, S. 60-61
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Reliability projection and polarity dependence of TDDB for ultra thin CVD HfO2 gate dielectrics
    LEE, S. J ; RHEE, S. J ; et al.
    In: 2002 symposium on VLSI technology (Honolulu HI, 11-13 June 2002, digest of technical papers), 2002, S. 78-79
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Reliability robustness of 65nm BEOL Cu damascene interconnects using porous CVD low-k dielectrics with k = 2.2
    LIN, K. C ; LU, Y. C ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 66-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Innovative nitride passivation for pseudomorphic GaAs HEMTs and impact on device performance
    CHOU, Y. C ; NAM, P ; et al.
    In: 2002 IEEE international reliability physics symposium proceedings (Dallas TX, 7-11 April 2002), 2002, S. 235-240
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Advanced Wide Cell Pitch CSTBTs having light punch-through (LPT) structures
    NAKAMURA, Katsumi ; KUSUNOKI, Shigeru ; et al.
    In: ISPSD '02 : 14th international symposium on power semiconductor devices & ICS (Santa FE NM, 4-7 June 2002), 2002, S. 277-280
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Low k damage control & its reliability for organic hybrid dual damascene
    SU, Y. N ; SHIEH, J. H ; et al.
    In: Proceedings of the 11th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA 2004), 2004, S. 69-70
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Integration of ALD TaN barriers in porous low-k interconnect for the 45 nm node and beyond; solution to relax electron cattering effect
    BESLING, W. F. A ; ARNAL, V ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 325-328
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Empirical model for fatigue of PZT ferroelectric memories
    RODRIGUEZ, J ; MCPHERSON, J ; et al.
    In: 2002 IEEE international reliability physics symposium proceedings (Dallas TX, 7-11 April 2002), 2002, S. 39-44
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A robust, deep-submicron copper interconnect structure using self-aligned metal capping method
    SAITO, T ; ASHIHARA, H ; et al.
    In: IEEE 2004 international interconnect technology conference (Proccedings), 2004, S. 36-38
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -