Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
14 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

14 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    OLED Microdisplay With Monolithically Integrated CAAC-OS FET and Si CMOS Achieved by Two-Dimensionally Arranged Silicon Display Drivers
    Kozuma, M. ; Komura, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 187-194
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    1-Mbit 3-D DRAM Using a Monolithically Stacked Structure of a Si CMOS and Heterogeneous IGZO FETs
    Hirose, T. ; Okamoto, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 12 (2024), S. 236-242
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Performance Analysis on Complementary FET (CFET) Relative to Standard CMOS With Nanosheet FET
    Jung, S. ; Jang, D. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 78-82
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Analysis of CMOS Extended-Gate Field-Effect Transistor With On-Chip Window Based on Uricase/RuO2 Sensing Film
    Kuo, P. ; Chen, Y. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 995-1002
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Junction Design and Complementary Capacitance Matching for NCFET CMOS Logic
    Vega, R.A. ; Ando, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 691-703
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact
    Kawanago, T. ; Kajikawa, R. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 11 (2023), S. 15-21
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A High 5292-PPI Pixel Circuit for Micro Displays With 10-Bit Gray Levels Realized via the Technique of Analog Sub-Frame Integral
    Cheng, S. ; Chao, P.C.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 11 (2023), S. 456-466
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Junctionless Poly-Si Nanowire FET With Gated Raised S/D
    Chen, L. ; Yeh, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016-03-01), Heft 2, S. 50-50
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    On Device Architectures, Subthreshold Swing, and Power Consumption of the Piezoelectric Field-Effect Transistor ( ${\pi }$ -FET)
    Hueting, R.J.E. ; Van Hemert, T. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 3 (2015-05-01), Heft 3, S. 149-149
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Compact FeFET Circuit Building Blocks for Fast and Efficient Nonvolatile Logic-in-Memory
    Breyer, E.T. ; Mulaosmanovic, H. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 748-756
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Inherent Charge-Sharing-Free Dynamic Logic Gates Employing Transistors With Multiple Independent Inputs
    Trommer, J. ; Simon, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 740-747
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    GaN Nanotube FET With Embedded Gate for High Performance, Low Power Applications
    Han, K. ; Li, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 925-929
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    TFET-Based Circuit Design Using the Transconductance Generation Efficiency $ {g}_{m}/ {I}_{d}$ Method
    Barboni, L. ; Siniscalchi, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 3 (2015-05-01), Heft 3, S. 208-208
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Tunnel Field-Effect Transistors: State-of-the-Art
    Lu, H. ; Seabaugh, A.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 2 (2014-07-01), Heft 4, S. 44-44
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -