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    Highly Sensitive DNA Detection Beyond the Debye Screening Length Using CMOS Field Effect Transistors
    Chen, Yi-Wei ; Michael S.-C. Lu
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-08-01), S. 1220-1223
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    Assessment of Germanane Field-Effect Transistors for CMOS Technology
    Yoon, Youngki ; AlMutairi, AbdulAziz ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), S. 1743-1746
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    Interconnect Design and Benchmarking for Charge-Based Beyond-CMOS Device Proposals
    Pan, Chenyun ; Naeemi, Azad
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-04-01), S. 508-511
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    Post-CMOS FinFET Integration of Bismuth Telluride and Antimony Telluride Thin-Film-Based Thermoelectric Devices on SoI Substrate
    Smith, Casey ; Ghafouri, N. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-10-01), S. 1334-1336
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    CMOS-Compatible Vertical-Silicon-Nanowire Gate-All-Around p-Type Tunneling FETs With $\leq 50$-mV/decade Subthreshold Swing
    Gandhi, R. ; Banerjee, Kaustav ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), S. 1504-1506
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    Vertical Silicon Nanowire Gate-All-Around Field Effect Transistor Based Nanoscale CMOS
    Anand, Bulusu ; Maheshwaram, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-08-01), S. 1011-1013
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    High-performance fully depleted silicon nanowire (diameter /spl les/ 5 nm) gate-all-around CMOS devices
    Kwong, Dim-Lee ; Kumar, Rakesh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-05-01), S. 383-386
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    Corrections to 'Interconnect Design and Benchmarking for Charge-Based Beyond-CMOS Device Proposals' [Apr 16 508-511]
    Naeemi, Azad ; Pan, Chenyun
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 690-690
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    High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process
    Yan, Jiang ; Niu, Jiebin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-12-01), S. 1377-1379
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    High FET Performance for a Future CMOS $\hbox{GeO}_{2}$ -Based Technology
    Brice De Jaeger ; Merckling, Clement ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-05-01), S. 402-404
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    A Novel Scheme for Fabricating CMOS Inverters With Poly-Si Nanowire Channels
    Lee, I-Che ; Kuo, Chia-Hao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-06-01), S. 833-835
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    Tri-Gate Bulk MOSFET Design for CMOS Scaling to the End of the Roadmap
    Shin, Changhwan ; Sun, Xin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-05-01), S. 491-493
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    Nickel-Silicide Contact Technology With Dual Near-Band-Edge Barrier Heights and Integration in CMOS FinFETs With Single Mask
    Eng Fong Chor ; Sinha, Mantavya ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-09-01), S. 918-920
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    Manufacturable Parasitic-Aware Circuit-Level FETs in 65-nm SOI CMOS Technology
    Lee, Sungjae ; Cho, Choongyeun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-06-01), S. 520-522
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    Vertically Stacked SiGe Nanowire Array Channel CMOS Transistors
    Lakshmi Kanta Bera ; Kwong, Dim-Lee ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-03-01), S. 211-213
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    Impact of failure criteria on the reliability prediction of CMOS devices with ultrathin gate oxides based on voltage ramp stress
    Pompl, Thomas ; Rohner, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-07-01), S. 609-611
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    A Functional 41-Stage Ring Oscillator Using Scaled FinFET Devices With 25-nm Gate Lengths and 10-nm Fin Widths Applicable for the 45-nm CMOS Node
    Goodwin, M. ; Anil, K.G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-08-01), S. 568-570
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    High-performance 0.10- mu m CMOS devices operating at room temperature
    Sanda, A. ; Fukumoto, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 14 (1993-02-01), S. 51-53
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    BiCMOS technology with 60 GHz n-p-n bipolar and 0.25 mu m CMOS
    Jenkins, Keith ; Taur, Yuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 13 (1992-11-01), S. 578-580
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    Micromachined thermal radiation emitter from a commercial CMOS process
    Robinson, A.M. ; Blackburn, D.L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 12 (1991-02-01), S. 57-59
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