Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
174 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

Sprache

174 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Dielectric based charge carrier tuning for CNT CMOS inverters
    Mohan, Sangeneni ; Naik, Akshay ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 34 (2018-12-10), S. 015015-15015
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    CMOS integration of high-k/metal gate transistors in diffusion and gate replacement (D&GR) scheme for dynamic random access memory peripheral circuits
    Ercken, M. ; Thiam, A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FB08
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    First results on DEPFET Active Pixel Sensors fabricated in a CMOS foundry—a promising approach for new detector development and scientific instrumentation
    Majewski, P. ; Holl, P. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 12 (2017-11-16), S. P11013
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Reliability aspects of the low-frequency noise behaviour of submicron CMOS technologies
    Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 14 (1999), S. R61- (11S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Single donor electronics and quantum functionalities with advanced CMOS technology
    Jehl, Xavier ; Niquet, Yann-Michel ; et al.
    In: ISSN: 0953-8984 ; EISSN: 1361-648X, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Tunable single hole regime of a silicon field effect transistor in standard CMOS technology
    Turchetti, Marco ; Prati, Enrico ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 9 (2015-12-11), S. 014001-14001
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Fabrication and characterization of a charge-biased CMOS-MEMS resonant gate field effect transistor
    Wang, Yu-Lin ; Chin, Chi-Hang ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 24 (2014-07-31), S. 095005-95005
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Analysis and experimental verification of DNA single-base polymerization detection using CMOS FET-based redox potential sensor array
    Nakazato, Kazuo ; Niitsu, Kiichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-03-20), S. 04DL05
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    CMOS pulse-width-modulation readout circuit with a wide modulation range for ion-sensitive FET-based sensors
    Yu, Chi ; Wang, Ruey-Lue ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-03-11), S. 04DL02
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High efficiency grating couplers based on shared process with CMOS MOSFETs
    Shichang, Zou ; Fu-Wan, Gan ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 22 (2013-02-01), S. 024212-24212
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    CMOS-compatible batch processing of monolayer MoS2MOSFETs
    Strandwitz, Nicholas C. ; Marstell, Roderick J. ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 51 (2018-03-21), S. 15LT02
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A CMOS AC/DC charge pump for a wireless sensor network
    Weining, Ni ; Yu-De, Yu ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 33 (2012-10-01), S. 105003-105003
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Die-level, post-CMOS processes for fabricating open-gate, field-effect biosensor arrays with on-chip circuitry
    Chang, Chao-Min ; Lin, Jhih-Min ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 18 (2008-10-22), S. 115032-115032
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A flexible logic circuit based on a MOS-NDR transistor in standard CMOS technology
    Wei, Wang ; Beiju, Huang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 31 (2010-05-01), S. 055007-55007
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Deep Submicron CMOS Technology Using Top-Edge Round STI and Dual Gate Oxide for Low Power 256 M-Bit Mobile DRAM
    Hyeong Joon Kim ; Jo, Namhyuk ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 1892-1896
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A CMOS–MEMS arrayed resonant-gate field effect transistor (RGFET) oscillator
    Li, Sheng-Shian ; Chin, Chi-Hang ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 25 (2015-10-13), S. 115025-115025
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Stable Extraction of Threshold Voltage Using Transconductance Change Method for CMOS Modeling, Simulation and Characterization
    Byung Yong Choi ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-04-01), S. 1759-1759
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Evaluation of 0.3 µm Poly-Silicon CMOS Circuits for Intelligent Power IC Application
    Nakagawa, Akio ; Matsudai, Tomoko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-03-01), S. 1103-1103
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Improved Ti Self-Aligned Silicide Technology Using High Dose Ge Pre-Amorphization for 0.10 µm CMOS and Beyond
    Toyoshima, Yoshiaki ; Miyashita, Katsura ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 38 (1999-04-01), S. 2238-2238
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    0.8 µm CMOS Process Compatible 60 V–100 m Ω·mm 2 Power MOSFET on Bonded SOI
    Funaki, Hideyuki ; Terazaki, Yoshinori ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 36 (1997-03-01), S. 1513-1513
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -