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    Design of bioinspired tripartite synapse analog integrated circuit in 65-nm CMOS Technology
    Moezzi, Mohsen ; Tir, Shohreh ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 19 (2020-05-18), S. 1313-1328
    Online unknown
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    Assessment of Germanane Field-Effect Transistors for CMOS Technology
    Yoon, Youngki ; AlMutairi, AbdulAziz ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), S. 1743-1746
    Online unknown
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    Impact of Channel, Stress-Relaxed Buffer, and S/D Si1−xGe x Stressor on the Performance of 7-nm FinFET CMOS Design with the Implementation of Stress Engineering
    Othman, N. A. F. ; Sharifah Wan Muhamad Hatta ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 47 (2018-01-16), S. 2337-2347
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Si CMOS Extension and Ge Technology Perspectives Forecast Through Metal-oxide-semiconductor Junctionless Field-effect Transistor
    Cho, Seongjae ; Kim, Young-Min ; et al.
    In: JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science, Jg. 16 (2016-12-30), S. 847-853
    Online unknown
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    CMOS-Integrated Low-Noise Junction Field-Effect Transistors for Bioelectronic Applications
    Dai, Shanshan ; Fleischer, Daniel A. ; et al.
    In: IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, Jg. 39 (2019-01-23), Heft 7
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    Series Resistance Reduction in Stacked Nanowire FETs for 7-nm CMOS Technology
    Hook, Terence B. ; Dixit, Abhisek ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016-09-01), S. 266-272
    Online unknown
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    Reconfigurable field effect transistor for advanced CMOS: Advantages and limitations
    Navarro, Carlos ; Lacord, Joris ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 155-162
    Online unknown
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    All CVD Boron Nitride Encapsulated Graphene FETs with CMOS Compatible Metal Edge Contacts
    Neumaier, Daniel ; Nagel, Michael ; et al.
    2018
    Online unknown
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    Interconnect Design and Benchmarking for Charge-Based Beyond-CMOS Device Proposals
    Pan, Chenyun ; Naeemi, Azad
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-04-01), S. 508-511
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    Broadband terahertz power detectors based on 90-nm silicon CMOS transistors with flat responsivity up to 2.2 THz
    Bauer, Maris ; Krozer, Viktor ; et al.
    2018
    Online unknown
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    Dielectric based charge carrier tuning for CNT CMOS inverters
    Mohan, Sangeneni ; Naik, Akshay ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 34 (2018-12-10), S. 015015-15015
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Modeling of Strained CMOS on Disposable SiGe Dots: Strain Impacts on Devices' Electrical Characteristics
    Zhuang, Yan ; Fregonese, Sebastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-09-01), S. 2321-2326
    Online unknown
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    Optimization of the Design of Terahertz Detectors Based on Si CMOS and AlGaN/GaN Field-Effect Transistors
    Krozer, Viktor ; Zhang, Jingshui ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics and Systems, Jg. 25 (2016-09-01), S. 1640013-1640013
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Corrections to 'Interconnect Design and Benchmarking for Charge-Based Beyond-CMOS Device Proposals' [Apr 16 508-511]
    Naeemi, Azad ; Pan, Chenyun
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 690-690
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    Mapping of CMOS FET degradation in bias space—Application to dram peripheral devices
    Rzepa, Gerhard ; Kaczer, B. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, Jg. 35 (2017), S. 01A109
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    CMOS without doping: Multi-gate silicon-nanowire field-effect-transistors
    Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2012
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Demonstration of Single Hole Transistor and Hybrid Circuits for Multivalued Logic and Memory Applications up to 350 K Using CMOS Silicon Nanowires
    Vinet, Maud ; Vizioz, C. ; et al.
    In: Advanced Electronic Materials, Jg. 2 (2016-02-08), S. 1500244-1500244
    Online unknown
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    Modeling of Strained CMOS on Disposable SiGe Dots : shape impacts on electrical/thermal characteristics
    Fregonese, Sebastien ; Burghartz, Joachim N. ; et al.
    2008
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    CMOS-compatible batch processing of monolayer MoS2MOSFETs
    Strandwitz, Nicholas C. ; Marstell, Roderick J. ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 51 (2018-03-21), S. 15LT02
    Online unknown
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    Fully CMOS-compatible top-down fabrication of sub-50 nm silicon nanowire sensing devices
    Petkov, Nikolay ; Georgiev, Yordan M. ; et al.
    2014
    Online unknown
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