Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
19 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

19 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    A general approach for high yield fabrication of CMOS-compatible all-semiconducting carbon nanotube field effect transistors.
    Islam, Muhammad R. ; Kormondy, Kristy J. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 23 (2012-04-06), Heft 12, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    A reliable and controllable graphene doping method compatible with current CMOS technology and the demonstration of its device applications.
    Kim, Seonyeong ; Shin, Somyeong ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-04-28), Heft 17, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Ge quantum wire memristor.
    Böckle, R ; Sistani, M ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-10-30), Heft 44, S. 1-6
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Reconfiguration of operation modes in silicon nanowire field-effect transistors by electrostatic virtual doping.
    Kim, Taekham ; Lim, Doohyeok ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 33 (2022-10-08), Heft 41, S. 1-6
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Performance tunability of field-effect transistors using MoS<subscript>2(1−x)</subscript>Se<subscript>2x</subscript> alloys.
    Sanjay, Sooraj ; Ganapathi, Kolla Lakshmi ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-10-22), Heft 43, S. 1-10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Low-noise, high-detectivity, polarization-sensitive, room-temperature infrared photodetectors based on Ge quantum dot-decorated Si-on-insulator nanowire field-effect transistors.
    John, John Wellington ; Dhyani, Veerendra ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-07-30), Heft 31, S. 1-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Understanding ambipolar transport in MoS<subscript>2</subscript> field effect transistors: the substrate is the key.
    Mootheri, Vivek ; Leonhardt, Alessandra ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-03-26), Heft 13, S. 1-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Graphene bandgap induced by ferroelectric HfO<subscript>2</subscript> doped with Zr (HfZrO).
    Dragoman, Mircea ; Dinescu, Adrian ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-07-03), Heft 27, S. 1-6
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    High frequency top-down junction-less silicon nanowire resonators.
    Koumela, Alexandra ; Hentz, Sébastien ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-11-01), Heft 43, S. 435203-435212
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Pixel-based biosensor for enhanced control: silicon nanowires monolithically integrated with field-effect transistors in fully depleted silicon on insulator technology.
    Jayakumar, G ; Östling, M
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-05-31), Heft 22, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Electrical characteristics of silicon nanowire transistors fabricated by scanning probe and electron beam lithographies.
    Yu Kyoung Ryu ; Chiesa, Marco ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-08-09), Heft 31, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design, simulation and comparative analysis of CNT based cascode operational transconductance amplifiers.
    Nizamuddin, M ; Sajad A Loan ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 26 (2015-10-02), Heft 39, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Single-electron effects in non-overlapped multiple-gate silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
    Lee, W ; Su, P
    In: Nanotechnology, Jg. 20 (2009-02-11), Heft 6, S. 65202-65202
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Theoretical investigation of performance of armchair graphene nanoribbon field effect transistors.
    Hur, Ji-Hyun ; Kim, Deok-Kee
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-05-04), Heft 18, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Random dopant fluctuations and statistical variability in n-channel junctionless FETs.
    N D Akhavan ; G A Umana-Membreno ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018), Heft 2, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Chemically enhanced double-gate bilayer graphene field-effect transistor with neutral channel for logic applications.
    Nourbakhsh, Amirhasan ; Agarwal, Tarun K ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 25 (2014-08-29), Heft 34, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High yield assembly and electron transport investigation of semiconducting-rich local-gated single-walled carbon nanotube field effect transistors.
    Kristy J Kormondy ; Stokes, Paul ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 22 (2011-10-14), Heft 41, S. 415201-415201
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Silicon nanowire-based tunneling field-effect transistors on flexible plastic substrates.
    Lee, Myeongwon ; Koo, Jamin ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 20 (2009-11-11), Heft 45, S. 455201-455201
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Local-gated single-walled carbon nanotube field effect transistors assembled by AC dielectrophoresis.
    Stokes, Paul ; Saiful I Khondaker
    In: Nanotechnology, Jg. 19 (2008-04-30), Heft 17, S. 75202-75202
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -