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    academicJournal
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    A general approach for high yield fabrication of CMOS-compatible all-semiconducting carbon nanotube field effect transistors.
    Islam, Muhammad R. ; Kormondy, Kristy J. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 23 (2012-04-06), Heft 12, S. 1-8
    Online academicJournal
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    A reliable and controllable graphene doping method compatible with current CMOS technology and the demonstration of its device applications.
    Kim, Seonyeong ; Shin, Somyeong ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-04-28), Heft 17, S. 1-1
    academicJournal
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    academicJournal
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    Ge quantum wire memristor.
    Böckle, R ; Sistani, M ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-10-30), Heft 44, S. 1-6
    academicJournal
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    Reconfiguration of operation modes in silicon nanowire field-effect transistors by electrostatic virtual doping.
    Kim, Taekham ; Lim, Doohyeok ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 33 (2022-10-08), Heft 41, S. 1-6
    academicJournal
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    academicJournal
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    Performance tunability of field-effect transistors using MoS<subscript>2(1−x)</subscript>Se<subscript>2x</subscript> alloys.
    Sanjay, Sooraj ; Ganapathi, Kolla Lakshmi ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-10-22), Heft 43, S. 1-10
    academicJournal
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    Low-noise, high-detectivity, polarization-sensitive, room-temperature infrared photodetectors based on Ge quantum dot-decorated Si-on-insulator nanowire field-effect transistors.
    John, John Wellington ; Dhyani, Veerendra ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-07-30), Heft 31, S. 1-9
    academicJournal
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    academicJournal
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    Understanding ambipolar transport in MoS<subscript>2</subscript> field effect transistors: the substrate is the key.
    Mootheri, Vivek ; Leonhardt, Alessandra ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-03-26), Heft 13, S. 1-9
    academicJournal
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    Graphene bandgap induced by ferroelectric HfO<subscript>2</subscript> doped with Zr (HfZrO).
    Dragoman, Mircea ; Dinescu, Adrian ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-07-03), Heft 27, S. 1-6
    academicJournal
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    academicJournal
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    High frequency top-down junction-less silicon nanowire resonators.
    Koumela, Alexandra ; Hentz, Sébastien ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-11-01), Heft 43, S. 435203-435212
    Online academicJournal
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    Pixel-based biosensor for enhanced control: silicon nanowires monolithically integrated with field-effect transistors in fully depleted silicon on insulator technology.
    Jayakumar, G ; Östling, M
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-05-31), Heft 22, S. 1-1
    academicJournal
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    Electrical characteristics of silicon nanowire transistors fabricated by scanning probe and electron beam lithographies.
    Yu Kyoung Ryu ; Chiesa, Marco ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-08-09), Heft 31, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Design, simulation and comparative analysis of CNT based cascode operational transconductance amplifiers.
    Nizamuddin, M ; Sajad A Loan ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 26 (2015-10-02), Heft 39, S. 1-1
    academicJournal
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    Single-electron effects in non-overlapped multiple-gate silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
    Lee, W ; Su, P
    In: Nanotechnology, Jg. 20 (2009-02-11), Heft 6, S. 65202-65202
    Online academicJournal
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