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    Nanoscale CMOS Biasing Circuit for Analog Applications: The Impact of NBTI Degradation
    Vijay, Ashish ; Duari, Chusen ; et al.
    In: 2023 International Conference for Advancement in Technology (ICONAT), 2023-01-24, S. 1-3
    Konferenz
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    Analysis of the Endurance of CMOS IC Elements to Failures after Charged Particle Strike
    Smirnova, Vera P. ; Krupkina, Tatiana Y. ; et al.
    In: 2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), 2022-01-25, S. 447-450
    Konferenz
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    Analysis of Si₃N₄ based n-FDSOI and p-FDSOI MOSFETS for CMOS Application
    Singh, Abhay Pratap ; Mishra, Vimal Kumar ; et al.
    In: 2022 8th International Conference on Signal Processing and Communication (ICSC), 2022-12-01, S. 578-581
    Konferenz
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    58-GHz Up-Conversion Mixer Using Capacitive Cross-Coupling Neutralization in 180-nm CMOS Technology
    Sahara, Kenta ; Takano, Kyoya ; et al.
    In: 2021 13th Global Symposium on Millimeter-Waves & Terahertz (GSMM), 2021-05-23, S. 1-3
    Konferenz
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    Designing EDA-Compatible Cryogenic CMOS Platform for Quantum Computing Applications
    Wang, Zewei ; Cao, Chengwei ; et al.
    In: 2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2021-04-08, S. 1-3
    Konferenz
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    Low Power CMOS Voltage Reference Circuit for High Efficient Power Management Chips
    Beatris, Veluvali Rachel ; R, Julia Karal Adisaya ; et al.
    In: 2022 6th International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS), 2022-04-21, S. 248-250
    Konferenz
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    CMOS Nagata Current Sources with Self-Bias Configuration Insensitive to Supply Voltage and Temperature
    Hosono, Takashi ; Kamio, Takafumi ; et al.
    In: 2021 International Conference on Electrical, Computer and Energy Technologies (ICECET), 2021-12-09, S. 1-6
    Konferenz
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    Study and Analysis of Noise in CMOS Circuit Design using C5 model process technology
    Johari, Ayoush ; Changlani, Soni
    In: 2018 International Conference on Advanced Computation and Telecommunication (ICACAT), 2018-12-01, S. 1-4
    Konferenz
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Multi Valued Logic VHDL Package for Switch Level Simulation of Novel Digital CMOS Circuits
    Keresztes, Peter ; Tukacs, Attila ; et al.
    In: 2018 International Conference on Recent Innovations in Electrical, Electronics & Communication Engineering (ICRIEECE), 2018-07-01, S. 25-28
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    An Improved Small Signal Equivalent Circuit Modeling Based On 65nm CMOS Technology
    Yang, Kunyu ; Wu, Yunqiu ; et al.
    In: 2019 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2019-12-01, S. 702-704
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    An FDTD and MNA based analysis of data transmission on nonuniform interconnections terminated with noisy CMOS circuits
    Sanhaji, Houda ; Ouazzani, Nabih El
    In: 2019 International Conference on Wireless Technologies, Embedded and Intelligent Systems (WITS), 2019-04-01, S. 1-7
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Compact Modelling of 22nm FDSOI CMOS Semiconductor Quantum Dot Cryogenic I-V Characteristics
    Tripathi, S. Pati ; Bonen, S. ; et al.
    In: ESSCIRC 2021 - IEEE 47th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), 2021-09-13, S. 43-46
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A CMOS Two-Stage Amplifier Design Methodology for CAD Tools
    Farag, Fathi A. ; Mohamed, Ahmed R. ; et al.
    In: 2021 International Conference on Electronic Engineering (ICEEM), 2021-07-03, S. 1-4
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    RF CMOS Transistor Equivalent Circuit Model up to 66 GHz
    Bashir, Muhammad Adil ; Wu, Yunqiu ; et al.
    In: 2018 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2018-11-01, S. 372-374
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    New insights on the excess 1/f noise at cryogenic temperatures in 28 nm CMOS and Ge MOSFETs for quantum computing applications
    Asanovski, R. ; Grill, A. ; et al.
    In: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022-12-03, S. 1
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design and Characterization of the Junction Isolation Structure for Monolithic Integration of Planar CMOS and Vertical Power MOSFET on 4H-SiC up to 300 °C
    Tsui, Bing-Yue ; Tsai, Te-Kai ; et al.
    In: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022-12-03, S. 1
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Simulation of CMOS IC's waveforms distortions in PCB traces with account for radiation effects
    Petrosyants, Konstantin O. ; Kharitonov, Igor A. ; et al.
    In: 2016 24th Telecommunications Forum (TELFOR), 2016-11-01, S. 1-4
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A CMOS Fully Integrated 860-GHz Terahertz Sensor
    Liu, Z. ; Liu, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Jg. 7 (2017-07-01), Heft 4, S. 455-465
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    CMOS 90 nm multi-bias transistor model Up to 66 GHz
    Wu, Yunqiu ; Cong, Shili ; et al.
    In: 2017 IEEE Electrical Design of Advanced Packaging and Systems Symposium (EDAPS), 2017-12-01, S. 1-3
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Fault simulation in radiation-hardened SOI CMOS VLSIs using universal compact MOSFET model
    Petrosyants, Konstantin O. ; Sambursky, Lev M. ; et al.
    In: 2016 17th Latin-American Test Symposium (LATS), 2016-04-01, S. 117-122
    Konferenz
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