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    A Novel Physics Aware ANN-Based Framework for BSIM-CMG Model Parameter Extraction
    Singhal, A. ; Pahwa, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 3307-3314
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Latency Insertion Method for FinFET DC Operating Point Simulation Based on BSIM-CMG
    Zhou, Yi ; Schutt-Aine, Jose E.
    In: 2022 IEEE Electrical Design of Advanced Packaging and Systems (EDAPS), 2022-12-12, S. 1-3
    Konferenz
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    Optimization of Deep Learning-Based BSIM-CMG I-V Parameter Extraction in Seconds
    Chavez, Fredo ; Kao, Ming-Yen ; et al.
    In: 2022 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2022-08-29, S. 124-126
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Performance evaluation of FinFET pass-transistor full adders with BSIM-CMG model
    Garcia Martin, Cecilia ; Oruklu, Erdal
    In: 2014 IEEE 57th International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS), 2014-08-01, S. 917-920
    Konferenz
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Performance evaluation of multi-gate fets using the BSIM-CMG model
    Patil, Neelam ; Martin, Cecilia Garcia ; et al.
    In: IEEE International Conference on Electro/Information Technology, 2014-06-01, S. 256-259
    Konferenz
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A Neural Network based Fast Parameter Extraction of Compact Hot Carrier Degradation Model in FinFETs
    Shen, Cong ; Li, Yu ; et al.
    In: 2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2024-03-03, S. 1-3
    Konferenz
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    Standard cell library characterization for FinFET transistors using BSIM-CMG models
    Yuan, Yu ; Martin, Cecilia Garcia ; et al.
    In: 2015 IEEE International Conference on Electro/Information Technology (EIT), 2015-05-01, S. 494-498
    Konferenz
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Effective Channel Mobility Extraction and Modeling of 10-nm Bulk CMOS FinFETs in Cryogenic Temperature Operation for Quantum Computing Applications
    Gupta, S. ; Singh, S.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-04-01), Heft 4, S. 1815-1822
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Modeling the Impact of Dynamic Fin-Width on the I– V, C– V and RF Characteristics of GaN Fin–HEMTs
    Pampori, A.U.H. ; Ahsan, S.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2275-2281
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Transistor Self-Heating: The Rising Challenge for Semiconductor Testing
    Prakash, Om ; Dabhi, Chetan K. ; et al.
    In: 2021 IEEE 39th VLSI Test Symposium (VTS), 2021-04-25, S. 1-7
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Design and Simulation of FinFET based digital circuits for low power applications
    sai, S. Greeshma ; Alivelu Manga, N. ; et al.
    In: 2020 IEEE International Students' Conference on Electrical,Electronics and Computer Science (SCEECS), 2020-02-01, S. 1-5
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Impact of Thermal Effects on the Performance of the Power Gating Circuits Using NEMS, FinFETs, and NWFETs
    Saha, S. ; Kumar, U.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2618-2624
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Experimental Validation of Process-Induced Variability Aware SPICE Simulation Platform for Sub-20 nm FinFET Technologies
    Rawat, A. ; Sharan, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 976-980
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Simulation Study of NBTI Impact on 14-nm Node FinFET Technology for Logic Applications: Device Degradation to Circuit-Level Interaction
    Mishra, S. ; Amrouch, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 271-278
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Presenting a synchronous — Asynchronous standard cell library based on 7nm FinFET technology
    Amr, Eslam ; Maher, Marina ; et al.
    In: 2016 28th International Conference on Microelectronics (ICM), 2016-12-01, S. 325-328
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    NBTI-Related Variability Impact on 14-nm Node FinFET SRAM Performance and Static Power: Correlation to Time Zero Fluctuations
    Mishra, S. ; Parihar, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 4846-4853
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design of FinFET based All-Digital DLL for multiphase clock generation
    Keerthi Kumar, M ; K.R, Pasupathy ; et al.
    In: 2015 Annual IEEE India Conference (INDICON), 2015-12-01, S. 1-4
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Compact Modeling Source-to-Drain Tunneling in Sub-10-nm GAA FinFET With Industry Standard Model
    Lin, Y. ; Duarte, J.P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 3576-3581
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Stability investigation for 1R-2W and 2R-2W Register File SRAM bit cell using FinFET in subthreshold region
    Mohan, Sreyas ; Pande, Kirti S. ; et al.
    In: 2015 International Conference on VLSI Systems, Architecture, Technology and Applications (VLSI-SATA), 2015, S. 1-6
    Konferenz
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    Evaluation of 10-nm Bulk FinFET RF Performance—Conventional Versus NC-FinFET
    Singh, R. ; Aditya, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-08-01), Heft 8, S. 1246-1246
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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