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    76- to 81-GHz CMOS Built-In Self-Test With 72-dB C/N and Less Than 1 ppm Frequency Tolerance for Multi-Channel Radar Applications.
    Kohtani, Masato ; Murakami, Tomotoshi ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-05-01), Heft 5, S. 1345-1359
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Process and Temperature Insensitive CMOS Linear TIA for 100 Gb/s/ $\lambda$ PAM-4 Optical Links.
    Lakshmikumar, Kadaba R. ; Kurylak, Alexander ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-11-01), Heft 11, S. 3180-3190
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Design of E- and W-Band Low-Noise Amplifiers in 22-nm CMOS FD-SOI.
    Gao, Li ; Wagner, Eric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 68 (2020), Heft 1, S. 132-143
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Design and implementation of low-power CMOS biosignal amplifier for active electrode in biomedical application using subthreshold biasing strategy.
    Kalpana, G. ; Krishnamoorthy, Raja ; et al.
    In: International Journal of Wavelets, Multiresolution & Information Processing, Jg. 18 (2020), Heft 1, S. N.PAG- (18S.)
    academicJournal
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    Design of the CMOS inverter‐based amplifier: A quantitative approach.
    Sharroush, Sherif M.
    In: International Journal of Circuit Theory & Applications, Jg. 47 (2019-07-01), Heft 7, S. 1006-1036
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Design of a Wideband Variable-Gain Amplifier With Self-Compensated Transistor for Accurate dB-Linear Characteristic in 65 nm CMOS Technology.
    Kong, Lingshan ; Liu, Hang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 4187-4198
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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    A 230–260-GHz Wideband and High-Gain Amplifier in 65-nm CMOS Based on Dual-Peak $G_{{\mathrm{max}}}$ -Core.
    Park, Dae-Woong ; Utomo, Dzuhri Radityo ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-06-01), Heft 6, S. 1613-1623
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 1-mW Class-AB Amplifier With −101 dB THD+N for High-Fidelity 16 $\Omega$ Headphones in 65-nm CMOS.
    Mehta, Nandish ; Huijsing, Johan H. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-04-01), Heft 4, S. 948-958
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Wideband 28-nm CMOS Variable-Gain Amplifier.
    Asgari, Vahid ; Belostotski, Leonid
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 37-47
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 1.7-mW −92-dBm Sensitivity Low-IF Receiver in 0.13- $\mu$ m CMOS for Bluetooth LE Applications.
    Silva-Pereira, Marco ; de Sousa, Jose T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 67 (2019), Heft 1, S. 332-346
    Online academicJournal
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    A Cryo-CMOS Low-Noise Amplifier With 2.3-to-8.5-K Noise Temperature at 20 K for Highly Integrated Radio-Astronomy Receivers.
    Sheldon, A. ; Belostotski, L.
    In: IEEE Microwave & Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-11-01), Heft 11, S. 1319-1322
    Online academicJournal
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    A 7-GHz CMOS Bidirectional Variable Gain Amplifier With Low Gain and Phase Imbalances.
    Suh, Bosung ; Kim, Doojung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 65 (2018-09-01), Heft 9, S. 2669-2678
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    An E -Band High-Performance Variable Gain Low Noise Amplifier for Wireless Communications in 90-nm CMOS Process.
    Wang, Yunshan ; Chiu, Tzu-Yang ; et al.
    In: IEEE Microwave & Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-09-01), Heft 9, S. 1095-1098
    Online academicJournal
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    A Low-Phase Error Cascode CMOS Variable Gain Amplifier With 180° Phase Control for Phase Array Systems.
    Yang, Chen-Chen ; Li, Tong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 70 (2022-09-01), Heft 9, S. 4187-4198
    Online academicJournal
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    24–40 GHz Dual-Band Highly Linear CMOS Up-Conversion Mixer for mmWave 5G NR FR2 Cellular Applications.
    Bae, Beomsoo ; Jeong, Juhui ; et al.
    In: IEEE Microwave & Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-08-01), Heft 8, S. 999-1002
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    300-GHz Double-Balanced Up-Converter Using Asymmetric MOS Varactors in 65-nm CMOS.
    Chen, Zhiyu ; Choi, Wooyeol ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-08-01), Heft 8, S. 2336-2347
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    A 180-GHz Low-Noise Amplifier With Recursive Z-Embedding Technique in 40-nm CMOS.
    Chen, Hong-Shen ; Liu, Jenny Yi-Chun
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-12-01), Heft 12, S. 4649-4653
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    5.85-mW 3.1–23.7-GHz Two-Stage CMOS VGA With 2.53-dB NF Using Concurrent Current Steering.
    Chang, Jin-Fa ; Lin, Yo-Sheng
    In: IEEE Microwave & Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-11-01), Heft 11, S. 1331-1334
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    A 39-GHz Phase-Inverting Variable Gain Power Amplifier in 65-nm CMOS for 5G Communication.
    Zhang, Xuexue ; Niu, Xiaokang ; et al.
    In: IEEE Microwave & Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-11-01), Heft 11, S. 1303-1306
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    A 208–233-GHz Frequency Doubler With 1.1% Power-Added Efficiency in 28-nm CMOS.
    Fu, Haipeng ; Li, Kai ; et al.
    In: IEEE Microwave & Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-11-01), Heft 11, S. 1311-1314
    Online academicJournal
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