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    Ultrawide strain-tuning of light emission from InGaAs nanomembranes
    Cui, Xiaorui ; Paiella, Roberto ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-12), S. 201105-201105
    Online unknown
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    Indium supply from triisopropylindium onto a GaAs(001) surface at room temperature.
    Kuramochi, H. ; Cui, J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-11-18), Heft 21, S. 4058-4060
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Zero-field spin splitting in In0.52Al0.48As/InxGa1-x As metamorphic high-electron-mobility-transistor structures on GaAs substrates using Shubnikov-de Haas measurements.
    Cui, L. J. ; Zeng, Y. P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-04-29), Heft 17, S. 3132-3134
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Surface reaction of trisdimethylaminoarsenic on GaAs(001)-c(4×4) and (4×4)
    Cui, Jie ; Ozeki, Masashi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-11-03), S. 2659-2661
    Online academicJournal
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    Adsorption of tertiarybutylarsine on GaAs(001)-c(4×4) surface studied by molecular beam scattering.
    Cui, Jie ; Ozeki, Masashi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 70 (1997-04-21), S. 2177-2179
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Precursor-mediated adsorption of tertiarybutylarsine on GaAs (001)-(4×6)
    Cui, Jie ; Ozeki, Masashi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 70 (1997-01-27), S. 502-504
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Ultrawide strain-tuning of light emission from InGaAs nanomembranes.
    Wang, Xiaowei ; Cui, Xiaorui ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-12), Heft 20, S. N.PAG- (4S.)
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Indium supply from triisopropylindium onto a GaAs(001) surface at room temperature
    Kuramochi, Hiromi ; Akinaga, Hiro ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-11-18), S. 4058-4060
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates
    Jiang, C. P. ; Zeng, Yiping ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-09-17), S. 1909-1911
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Longitudinal optic phonon–plasmon coupling in δ-doped metamorphic InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistor structures on GaAs substrates
    Wang, B. Q. ; Guo, Shaoling ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-08-27), S. 1375-1377
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Precursor-mediated adsorption of tertiarybutylarsine on GaAs (001)-(4×6)
    Ohashi, Masafumi ; Cui, Jie ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 70 (1997-01-27), S. 502-504
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Morphological and temperature-dependent optical properties of InAs quantum dots on GaAs nanowires with different InAs coverage
    Huang, Yongqing ; Cui, Jiangong ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 103 (2013-10-21), S. 172102-172102
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Beam and phase distributions of a terahertz quantum cascade wire laser
    Vercruyssen, N. ; Kao, Tsung-Yu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-03-18), S. 111113-111113
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effect of H on interface properties of Al2O3/In0.53Ga0.47As
    Shekhter, P. ; Eizenberg, Moshe ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-11-28), S. 222104-222104
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from ap-i-nquantum dot structure
    Bian, Lifeng ; Ma, Wenquan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-07-11), S. 023502-23502
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Very long wavelength quantum dot infrared photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlGaAs insertion layers
    Chen, Lianghui ; Huo, Yongheng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-03-07), S. 103507-103507
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunneling barriers
    Chen, Lianghui ; Cui, Kai ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-03-07), S. 103501-103501
    Online unknown
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    Observation of electric current induced by optically injected spin current
    Li, Jian ; Zhang, Fu-Chun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-06-11), S. 242115-242115
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Visual-infrared electroluminescence emission from ZnO/GaAs heterojunctions grown by metal-organic chemical vapor deposition.
    Du, Guotong ; Cui, Yongguo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-06-11), Heft 24, S. 243504-243504
    Online academicJournal
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