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    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO2MOSCAP's : effect of GaAs surface reconstruction
    WEBB, D. J ; FOMPEYRINE, J ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2142-2145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO.sub.2 MOSCAP's: effect of GaAs surface reconstruction
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), Heft 9-10, S. 2142-2145
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO<subscript>2</subscript> MOSCAP’s: effect of GaAs surface reconstruction
    Webb, D.J. ; Fompeyrine, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), Heft 9/10, S. 2142-2145
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO2 MOSCAP’s: effect of GaAs surface reconstruction
    Marchiori, Chiara ; Germann, Roland ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), S. 2142-2145
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    MBE growth and characterization of MODFET heterostructures using pseudomorphic InGaAs or InAs/GaAs superlattice channels
    Py, M.A. ; M. V. Baeta Moreira ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 15 (1991-10-01), S. 573-576
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Metamorphic HEMT on GaAs: MBE growth and device performance
    Favre, J. ; Druelle, Y. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 19 (1992-09-01), S. 317-320
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    MBE-grown (Ca, Sr) F2 layers on Si (111) and GaAs (111) : Electronic structure of interfaces
    Afanas'ev, V. V. ; Novikov, Sergei V. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 15 (1991-10-01), S. 139-142
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Nanostructuring of silicon substrates for the site-controlled growth of GaAs/In<subscript>0.15</subscript>Ga<subscript>0.85</subscript>As/GaAs nanostructures
    Usman, Muhammad ; Alzoubi, Tariq ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 97 (2012-09-01), S. 59-63
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Functional materials integrated on III–V semiconductors.
    Gatabi, Javad ; Lyon, Kevin ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 147 (2015-11-01), S. 117-121
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Growth and optical characteristics of Mg-doped GaAs epitaxial layers by molecular beam epitaxy
    Choi, Hyun Young ; Cho, Min Young ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 89 (2012), S. 6-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Electroabsorption in a GaAs n-i-p-i structure with selective contacts fabricated by Focused Ion Molecular Beam Epitaxy
    Vijendran, S. ; Jones, G.A.C. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 53 (2000-06-01), Heft 1-4, S. 631-634
    academicJournal
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    In situ atomic layer deposition and synchrotron-radiation photoemission study of Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> on pristine n-GaAs(001)-4×6 surface
    Chang, Y.H. ; Huang, M.L. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-07-01), Heft 7, S. 1101-1104
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electrical properties and interfacial chemical environments of in situ atomic layer deposited Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> on freshly molecular beam epitaxy grown GaAs
    Chang, Y.H. ; Huang, M.L. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-04-01), Heft 4, S. 440-443
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High optical quality site-controlled quantum dots
    Pfau, T.J. ; Gushterov, A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-05-01), Heft 5-8, S. 1357-1359
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Molecular beam epitaxy passivation studies of Ge and III-V semiconductors for advanced CMOS
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-07-01), Heft 7-9, S. 1592-1595
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Gate dielectrics on compound semiconductors
    Droopad, R. ; Passlack, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 80 (2005-06-17), S. 138-145
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    1.2nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated GaAs
    El Kazzi, M. ; Webb, D.J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-07-01), Heft 7, S. 1066-1069
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Growth and optical characteristics of Mg-doped GaAs epitaxial layers by molecular beam epitaxy
    Jong Su Kim ; Lee, Dong-Yul ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 89 (2012), S. 6-9
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Advanced III–V HEMT technology for microwave and millimetre-wave applications
    Long, A.P. ; Eddison, I.G.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 19 (1992-09-01), S. 389-395
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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