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    Effect of contact properties on current transport in metal/molecule/GaAs devices.
    Lodha, Saurabh ; Carpenter, Patrick ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-01-15), Heft 2, S. 24510-24518
    Online academicJournal
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    Unpinned interface Fermi-level in Schottky contacts to n-GaAs capped with low-temperature-grown GaAs; experiments and modeling using defect state distributions.
    Lodha, Saurabh ; Janes, David B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003-03-01), Heft 5, S. 2772-2779
    Online academicJournal
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    Thermally stimulated current spectroscopy on silicon planar-doped GaAs samples.
    Rubinger, R. M. ; Bezerra, J. C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-10-01), Heft 7, S. 3764-3769
    Online academicJournal
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    Terahertz radiation from n-type GaAs with Be-doped low-temperature-grown GaAs surface layers.
    Liu, Kai ; Arunas Krotkus, Y. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-09-01), Heft 5, S. 3651-3653
    Online academicJournal
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    Improved sensitivity of terahertz detection by GaAs photoconductive antennas excited at 1560 nm.
    Kataoka, T. ; Kajikawa, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-11-15), Heft 20, S. 201110-201112
    Online academicJournal
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    Metal-insulator-semiconductor structure on low-temperature grown GaAs.
    Chen, A. ; Young, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-12-04), Heft 23, S. 233514-233516
    Online academicJournal
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    Defect-assisted tunneling current: a revised interpretation of scanning tunneling spectroscopy measurements.
    Grandidier, B. ; de la Broise, X. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-05-22), Heft 21, S. 3142-3144
    Online academicJournal
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    Ohmic nanocontacts to GaAs using undoped and p-doped layers of low-temperature-grown GaAs.
    Lee, Takhee ; Chen, Nien-Po ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-01-10), Heft 2, S. 212-214
    Online academicJournal
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    Ultrafast carrier trapping in Be-doped low-temperature-grown GaAs.
    Krotkus, A. ; Bertulis, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-11-22), Heft 21, S. 3336-3338
    Online academicJournal
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    Permittivity of GaAs epilayers containing arsenic precipitates.
    Vasudevan, A. ; Carlin, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 73 (1998-08-03), Heft 5, S. 671-673
    Online academicJournal
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    The compensation and depletion behavior of iron doped GaAs grown by molecular beam epitaxy.
    McInturff, D. T. ; Harmon, E. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-09-23), Heft 13, S. 1885-1887
    Online academicJournal
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    Photomixing up to 3.8 THz in low-temperature-grown GaAs.
    Brown, E.R. ; McIntosh, K.A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 66 (1995-01-16), Heft 3, S. 285-287
    Online academicJournal
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    Optical and terahertz power limits in the low-temperature-grown GaAs photomixers.
    Verghese, S. ; McIntosh, K. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-11-10), S. 2743-2745
    Online academicJournal
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    Double-crystal x-ray rocking curve study of (Al,Ga)As:As grown by low temperature molecular beam epitaxy.
    Sacks, R. N. ; Carlin, J. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-10-13), S. 2145-2147
    Online academicJournal
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    Investigation of ultrashort photocarrier relaxation times in low-temperature-grown GaAs.
    McIntosh, K. A. ; Nichols, K. B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 70 (1997-01-20), S. 354-356
    Online academicJournal
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    Nonstoichiometric growth and cluster formation in low temperature grown GaAsSb for terahertz-applications.
    Sigmund, J. ; Pavlidis, D. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures, Jg. 24 (2006-05-01), Heft 3, S. 1556-1558
    academicJournal
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    Annealing stability and device application of nonalloyed ohmic contacts using a low temperature grown GaAs cap on thin n+ GaAs layers.
    Ueng, H. J. ; Kolagunta, V. R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-10-27), S. 2496-2498
    Online academicJournal
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