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    Structure of (001) GaAs surfaces during epitaxial growth by organometallic chemical vapor deposition
    KAMIYA, I ; TANAKA, H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3206-3208
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor-phase homoepitaxy of gallium arsenide assisted by a downstream hydrogen afterglow plasma in the growth region
    PIHLSTROM, B. G ; SHENG, T. Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3144-3146
    Online academicJournal
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    Novel binary buffer layers for applications in the heteroepitaxy of highly mismatched In0.53Ga0.47As epilayers grown on GaAs substrates
    SHOU-ZEN, CHANG ; SI-CHEN, LEE ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 17, S. 2417-2419
    Online academicJournal
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    Low-temperature (250 °C) selective epitaxy of GaAs films and p-n junction by laser-assisted metalorganic chemical vapor deposition
    KARAM, N. H ; LIU, H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 53 (1988), Heft 9, S. 767-769
    Online academicJournal
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    Laser-induced homoepitaxial growth of gallium arsenide films
    CHU, S. S ; CHU, T. L ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 15, S. 1243-1245
    Online academicJournal
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    Investigation of triethylarsenic as a replacement for arsine in the metalorganic chemical vapor deposition of GaAs
    LUM, R. M ; KLINGERT, J. K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 18, S. 1475-1477
    Online academicJournal
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    GaAs growth by atomic layer epitaxy using diethylgalliumchloride
    MORI, K ; YOSHIDA, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 1, S. 27-29
    Online academicJournal
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    Characterization of GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition on Si-on-insulator
    PEARTON, S. J ; VERNON, S. M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 15, S. 1188-1190
    Online academicJournal
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    Characteristics of Si-doped GaAs epilayers grown by metalorganic chemical vapor deposition using a silane source
    CHEE-WEE, LIU ; SHENG-LI, CHEN ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 20, S. 1634-1636
    Online academicJournal
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    Stepwise monolayer growth of GaAs by switched laser metalorganic vapor phase epitaxy
    DOI, A ; AOYAGI, Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 13, S. 785-787
    Online academicJournal
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    Low pressure organometallic vapor phase epitaxial growth of device quality GaAs directly on (100) Si
    SHASTRY, S. K ; ZEMON, S
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 8, S. 467-469
    Online academicJournal
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    Selective area growth of gallium arsenide by metalorganic vapor phase epitaxy
    GHOSH, C ; LAYMAN, R. L
    In: Applied physics letters, Jg. 45 (1984), Heft 11, S. 1229-1231
    Online academicJournal
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    Chemical beam epitaxy of InP and GaAs
    TSANG, W. T
    In: Applied physics letters, Jg. 45 (1984), Heft 11, S. 1234-1236
    Online academicJournal
    Zugriff:
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