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    Quantitative detection of oxygen contamination related traps in gallium arsenide epitaxial layer grown by molecular beam epitaxy at low temperature
    WAI SHING, LAU ; CHUEN HANG, GOO ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 32 (1993), Heft 9A, S. L1192- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    DC and AC characteristics of ZnSe/Ge/GaAs and ZnSe/InGaAs/GaAs lattice-matched heterojunction bipolar transistors grown by metal-organic chemical vapor deposition
    HSIEN CHENG, TSENG ; JI LUNG, SHEN ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 12B, S. L1759- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Spectral dependence of time-resolved photoreflectance of low-temperature-grown GaAs
    YU, J.-S ; HO, H.-C ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 4A, S. 2144-2150
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Back-gating effects on the Ga0.1In0.9P/InP/InGaAs high-electron-mobility transistor
    KUN-CHUAN, LIN ; CHUN-YEN, CHANG ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 7A, S. 3500-3503
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-temperature epitaxy of GaAs by metalorganic chemical vapour deposition
    WEI-KUO, CHEN ; CHEN-SHIUNG, CHANG ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 8A, S. L1052- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of improved AlGaAs/GaAs resonant tunneling hetrostructure bipolar transistors
    JENQ-SHINN, WU ; CHUN-YEN, CHANG ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 2A, S. L160- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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