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    Depletion-Mode β -Ga 2 O 3 MOSFETs Grown by Nonvacuum, Cost-Effective Mist-CVD Method on Fe-Doped GaN Substrates.
    Xu, Yu ; Zhang, Chunfu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1196-1199
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Comparison of CVD- and MBE-grown GaN Nanowires: Crystallinity, Photoluminescence, and Photoconductivity.
    Chen, R.S. ; Tsai, H.Y. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 177-187
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    Fabrication of GaN(1−x)Asx, Zinc‐Blende, or Wurtzite GaN Depending on GaAs Nitridation Temperature in a CVD System.
    Ramírez‐González, Francisco Sebastian ; García‐Salgado, Godofredo ; et al.
    In: Crystal Research & Technology, Jg. 53 (2018-08-01), Heft 8, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Heteroepitaxial growth and band alignment of β-Ga2O3 on GaN substrate grown by non-vacuum mist-CVD.
    Yan, Pengru ; Zhang, Zeyulin ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 204 (2022-10-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Low-Temperature ICP-CVD SiNx as Gate Dielectric for GaN-Based MIS-HEMTs.
    Dutta, Gourab ; DasGupta, Nandita ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4693-4701
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Few-Layer Graphene as an Efficient Buffer for GaN/AlN Epitaxy on a SiO 2 /Si Substrate: A Joint Experimental and Theoretical Study.
    Borisenko, Denis Petrovich ; Gusev, Alexander Sergeevich ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 12 (2022-11-15), Heft 22, S. 11516-11532
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Hot-mesh CVD for growth of GaN films on (100) GaAs
    Yasui, Kanji ; Ishibashi, Mitsuyoshi ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 464/465 (2004-10-01), S. 116-119
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method
    Komae, Yasuaki ; Saitou, Takeshi ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2009-04-30), Heft 12, S. 3528-3531
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A tailored optimization strategy for PDE-based design: application to a CVD reactor
    Itle, G.C. ; Salinger, A.G. ; et al.
    In: Computers & Chemical Engineering, Jg. 28 (2004-03-15), Heft 3, S. 291-302
    academicJournal
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    ICP-CVD SiN Passivation for High-Power RF InAlGaN/GaN/SiC HEMT.
    Aubry, R. ; Jacquet, J. C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-05-01), Heft 5, S. 629-632
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Planar rose-like ZnO/honeycombed gallium nitride heterojunction prepared by CVD towards enhanced H2 sensing without precious metal modification.
    Zhang, Shaohui ; Liu, Zeng ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 190 (2021-08-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Influence of Sb doping on the structural, optical and electrical properties of p-ZnO thin films prepared on n-GaN/Al2O3 substrates by a simple CVD method.
    Feng, Q.J. ; Liu, S. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 29 (2015), S. 188-192
    academicJournal
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    GaN nanowires: CVD synthesis and properties
    Cai, X.M. ; Djurišić, A.B. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 515 (2006-11-23), Heft 3, S. 984-989
    academicJournal
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    Growth of GaN films on nitrided GaAs substrates using hot-wire CVD
    Yasui, Kanji ; Morimoto, Kantarou ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 430 (2003-04-22), Heft 1/2, S. 174-177
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Nickel-Assisted Transfer-Free Technology of Graphene Chemical Vapor Deposition on GaN for Improving the Electrical Performance of Light-Emitting Diodes.
    Tang, Penghao ; Xiong, Fangzhu ; et al.
    In: Crystals (2073-4352), Jg. 12 (2022-10-01), Heft 10, S. 1497-1502
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
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    Gas Phase Chemistry in Gallium Nitride CVD: Theoretical Determination of the Arrhenius Parameters for the First Ga-C Bond Homolysis of Trimethylgallium.
    Schmid ; R. ; et al.
    In: Journal of Physical Chemistry A, Jg. 109 (2005-03-24), Heft 11, S. 2623-2630
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Influence of Precursor Concentration on Crystalline Quality of GaN Thin Films Grown on a Sapphire Wafer.
    Jumaah, Omar Dhannoon ; Jaluria, Yogesh
    In: Journal of Manufacturing Science & Engineering, Jg. 143 (2021-11-01), Heft 11, S. 1-9
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Electrical properties of siN/GaN mIS diodes formed by eCR-cVD.
    Chang, Kow-Ming ; Cheng, Chao-Chen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 46 (2002-09-01), Heft 9, S. 1399-1403
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Modelling wafer bow in silicon-polycrystalline CVD diamond substrates for GaN-based devices.
    Edwards, M. J. ; Bowen, C. R. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 43 (2010-09-29), Heft 38, S. 385502-1- (9S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High transconductance AlGaN/GaN MOSHFETs with photo-CVD gate oxide.
    Wang, Chun-Kai ; Lin, Tien-Kun ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-12-01), Heft 12, S. 1033-1036
    Online academicJournal
    Zugriff:
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