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    High quality InN/GaN heterostructures grown by migration enhanced metalorganic chemical vapor deposition.
    Qhalid Fareed, R. S. ; Jain, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-03-15), Heft 11, S. 1892-1894
    Online academicJournal
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    Dependence of crystallographic tilt and defect distribution on mask material in epitaxial lateral overgrown GaN layers.
    Tomiya, S. ; Funato, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-07-31), Heft 5, S. 636-638
    Online academicJournal
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    Gallium nitride nanowires doped with silicon.
    Liu, Ji ; Meng, Xiang-Min ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-11-17), Heft 20, S. 4241-4243
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Observation of 430 nm electroluminescence from ZnO/GaN heterojunction light-emitting diodes.
    Alivov, Ya. I. ; Van Nostrand, J. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-10-06), Heft 14, S. 2943-2945
    Online academicJournal
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    Triangular gallium nitride nanorods.
    Bae, Seung Yong ; Seo, Hee Won ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-06-23), Heft 25, S. 4564-4566
    Online academicJournal
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    GaN growth using a low-temperature GaNP buffer on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition.
    Tsukihara, M. ; Naoi, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-02-10), Heft 6, S. 919-921
    Online academicJournal
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    Enhanced dynamic annealing in Ga+ ion-implanted GaN nanowires.
    Dhara, S. ; Datta, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-01-20), Heft 3, S. 451-453
    Online academicJournal
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    High-density and size-controlled GaN self-assembled quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Miyamura, M. ; Tachibana, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-05-27), Heft 21, S. 3937-3939
    Online academicJournal
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    Electrical transport properties of individual gallium nitride nanowires synthesized by chemical-vapor-deposition.
    Kim, Jae-Ryoung ; So, Hye Mi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-05-13), Heft 19, S. 3548-3550
    Online academicJournal
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    Strong acceptor density and temperature dependences of thermal activation energy of acceptors in a Mg-doped GaN epilayer grown by metalorganic chemical-vapor deposition.
    Cheong, M. G. ; Kim, K. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-02-11), Heft 6, S. 1001-1003
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Influence of microstructure on the carrier concentration of Mg-doped GaN films.
    Romano, L. T. ; Kneissl, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-10-22), Heft 17, S. 2734-2736
    Online academicJournal
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    Improvement of the optical properties of metalorganic chemical vapor deposition grown GaN on sapphire by an in situ SiN treatment.
    Haffouz, S. ; Kirilyuk, V. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-10-08), Heft 15, S. 2390-2392
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Growth of high-quality GaN on Si(111) substrate by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition.
    Kim, Min-Ho ; Bang, Young-Churl ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-05-07), Heft 19, S. 2858-2860
    Online academicJournal
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    Hexagonal growth spirals on GaN grown by molecular-beam epitaxy: kinetics versus thermodynamics.
    Parkhomovsky, A. ; Dabiran, A. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-04-16), Heft 16, S. 2315-2317
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    V-shaped defects connected to inversion domains in AlGaN layers.
    Pécz, B. ; Makkai, Zs ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-03-12), Heft 11, S. 1529-1531
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    Vertically faceted lateral overgrowth of GaN on SiC with conducting buffer layers using pulsed metalorganic chemical vapor deposition.
    Qhalid Fareed, R. S. ; Yang, J. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-10-09), Heft 15, S. 2343-2345
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    Growth of Si delta-doped GaN by metalorganic chemical-vapor deposition.
    Zhao, G. Y. ; Adachi, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-10-02), Heft 14, S. 2195-2197
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    In situ, real-time measurement of wing tilt during lateral epitaxial overgrowth of GaN.
    Fini, P. ; Munkholm, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-06-26), Heft 26, S. 3893-3895
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    Nonlinear optical response of GaN layers on sapphire: the impact of fundamental beam interference.
    Kravetsky, I. V. ; Tiginyanu, I. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-02-14), Heft 7, S. 810-812
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    GaN avalanche photodiodes.
    Carrano, J. C. ; Lambert, D. J. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-02-14), Heft 7, S. 924-926
    Online academicJournal
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