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    Dependence of crystallographic tilt and defect distribution on mask material in epitaxial lateral overgrown GaN layers.
    Tomiya, S. ; Funato, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-07-31), Heft 5, S. 636-638
    Online academicJournal
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    GaN growth on Si(111) substrate using oxidized AlAs as an intermediate layer.
    Kobayashi, N. P. ; Kobayashi, J. T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-12-15), S. 3569-3571
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Air-bridged lateral growth of crack-free Al0.24Ga0.76N on highly relaxed porous GaN.
    Qhalid Fareed, R. S. ; Adivarahan, V. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-02-02), Heft 5, S. 696-698
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    GaN homoepitaxy on freestanding (11̄00) oriented GaN substrates.
    Chen, C. Q. ; Gaevski, M. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-10-21), Heft 17, S. 3194-3196
    Online academicJournal
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    Observation of crystallographic wing tilt in cantilever epitaxy of GaN on silicon carbide and silicon (111) substrates.
    Katona, T. M. ; Craven, M. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-10-29), Heft 18, S. 2907-2909
    Online academicJournal
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    Origins of threading dislocations in GaN epitaxial layers grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition.
    Narayanan, V. ; Lorenz, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-03-12), Heft 11, S. 1544-1546
    Online academicJournal
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    Layer-by-layer growth of GaN induced by silicon.
    Munkholm, A. ; Thompson, Carol ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-09-11), Heft 11, S. 1626-1628
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Spatially resolved band-edge emission from partially coalesced GaN pyramids prepared by epitaxial lateral overgrowth.
    Li, X. ; Bohn, P. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-05-22), Heft 21, S. 3031-3033
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High-quality coalescence of laterally overgrown GaN stripes on GaN/sapphire seed layers.
    Fini, P. ; Zhao, L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-09-20), Heft 12, S. 1706-1708
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    GaN homoepitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Leszczynski, M. ; Beaumont, B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-08-30), Heft 9, S. 1276-1278
    Online academicJournal
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    Observation of growth modes during metal-organic chemical vapor deposition of GaN.
    Stephenson, G. B. ; Eastman, J. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-05-31), Heft 22, S. 3326-3328
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Occurrence of cubic GaN and strain relaxation in GaN buffer layers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) sapphire substrates.
    Cheng, Lisen ; Zhou, Kuan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-02-01), Heft 5, S. 661-663
    Online academicJournal
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    Lateral epitaxial overgrowth of GaN films on sapphire and silicon substrates.
    Kung, P. ; Walker, D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-01-25), Heft 4, S. 570-572
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Microstructure of GaN laterally overgrown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Marchand, H. ; Wu, X. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 73 (1998-08-10), Heft 6, S. 747-749
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Selective-area and lateral epitaxial overgrowth of III-N materials by metal organic chemical vapor deposition.
    Park, J. ; Grudowski, P. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 73 (1998-07-20), Heft 3, S. 333-335
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optical memory effect in GaN epitaxial films.
    Joshkin, V. A. ; Roberts, J. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-07-14), S. 234-236
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Growth of epitaxial GaN films by pulsed laser deposition.
    Vispute, R. D. ; Talyansky, V. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-07-07), S. 102-104
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Size-dependent photoconductivity and dark conductivity of m-axial GaN nanowires with small critical diameter.
    Chen, Hsin-Yi ; Chen, Reui-San ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-10-05), Heft 14, S. 143123-143123
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Demonstration of nonpolar a-plane InGaN/GaN light emitting diode on r-plane sapphire substrate.
    Hwang, Sung-Min ; Seo, Yong Gon ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-08-17), Heft 7, S. 071101-71101
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Spontaneous transition in preferred orientation of GaN domains grown on r-plane sapphire substrate from [112̄0] to [0001].
    Lee, Hyun-Jae ; Ha, Jun-Seok ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-03-09), Heft 10, S. 102103-102103
    Online academicJournal
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