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    Growth mechanism of α-Ga2O3 on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions.
    Uno, Kazuyuki ; Ohta, Marika ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-08-03), Heft 5, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of one-dimensional GaN nanostructures with enhanced near-band edge emission by chemical vapor deposition.
    Song, Taeseup ; Park, Won II ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-01-04), Heft 1, S. 11105-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Vertically faceted lateral overgrowth of GaN on SiC with conducting buffer layers using pulsed metalorganic chemical vapor deposition.
    Qhalid Fareed, R. S. ; Yang, J. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-10-09), Heft 15, S. 2343-2345
    Online academicJournal
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    High performance of GaN thin films grown on sapphire substrates coated with a silica-submicron-sphere monolayer film.
    Ueda, Kazumasa ; Tsuchida, Yoshihiko ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-03-10), Heft 10, S. 101101-101101
    Online academicJournal
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    Hexagonal diamond synthesis on h-GaN strained films.
    Misra, Abha ; Tyagi, Pawan K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-08-14), Heft 7, S. 071911-71911
    Online academicJournal
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    Origin of pyramidal hillocks on GaN thin films grown on free-standing m-plane GaN substrates.
    Farrell, R. M. ; Haeger, D. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-06-07), Heft 23, S. 231907-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Microstructural evolution of a-plane GaN grown on a-plane SiC by metalorganic chemical vapor deposition.
    Craven, M. D. ; Wu, F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-02-23), Heft 8, S. 1281-1283
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Characterization of band bendings on Ga-face and N-face GaN films grown by metalorganic chemical-vapor deposition.
    Jang, Ho Won ; Lee, Jung-Hee ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-05-27), Heft 21, S. 3955-3957
    Online academicJournal
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    Growth of crack-free hexagonal GaN films on Si(100)
    Wan, J. ; Venugopal, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-09-03), Heft 10, S. 1459-1461
    Online academicJournal
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    Time-resolved spectroscopy of strained GaN/AlN/6H-SiC heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pozina, G. ; Edwards, N. V. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-02-19), Heft 8, S. 1062-1064
    Online academicJournal
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    Stability investigation of cubic GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on GaAs (001)
    Sun, X. L. ; Yang, Hui ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-05-10), Heft 19, S. 2827-2829
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Cubic GaN formation under nitrogen-deficient conditions.
    Oktyabrsky, S. ; Dovidenko, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-04-26), Heft 17, S. 2465-2467
    Online academicJournal
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    Development of a low-temperature GaN chemical vapor deposition process based on a single molecular source H2GaN3.
    McMurran, Jeff ; Kouvetakis, J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-02-08), Heft 6, S. 883-885
    Online academicJournal
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    Comparison of trimethylgallium and triethylgallium for the growth of GaN.
    Saxler, A. ; Walker, D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-12-01), S. 3272-3274
    Online academicJournal
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    Growth of epitaxial GaN films by pulsed laser deposition.
    Vispute, R. D. ; Talyansky, V. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-07-07), S. 102-104
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    Ultrahigh photocurrent gain in m-axial GaN nanowires.
    Chen, Reui-San ; Chen, Hsin-Yi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-11-26), Heft 22, S. 223106-223106
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    Excitation dynamics of the 1.54 μm emission in Er doped GaN synthesized by metal organic chemical vapor deposition.
    Ugolini, C. ; Nepal, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-01-29), Heft 5, S. 051110-51110
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    Low dislocation densities and long carrier lifetimes in GaN thin films grown on a SiNx nanonetwork.
    Xie, J. ; Özgür, Ü ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-01-22), Heft 4, S. 041107-41107
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    Defect reduction in nonpolar a-plane GaN films using in situ SiNx nanomask.
    Chakraborty, Arpan ; Kim, K. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-07-24), Heft 4, S. 041903-41903
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    Long carrier lifetimes in GaN epitaxial layers grown using TiN porous network templates.
    Özgür, Ü ; Fu, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-06-06), Heft 23, S. 232106-232106
    Online academicJournal
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