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    パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
    一樹, 永田 ; 宗一, 里本 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2010-10-01), Heft 261, S. 55-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
    一樹, 永田 ; 宗一, 里本 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2010-10-01), Heft 261, S. 55-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
    健, 齋藤 ; 一樹, 永田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-08-01), Heft 171, S. 61-66
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
    健, 齋藤 ; 一樹, 永田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-08-01), Heft 171, S. 61-66
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
    泰彰, 小前 ; 健, 齋藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 108 (2008-10-01), Heft 269, S. 7-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
    泰彰, 小前 ; 健, 齋藤 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 108 (2008-10-01), Heft 269, S. 7-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ホットメッシュCVD法によるGaN成長--ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果
    祐介, 深田 ; 和貴, 安部 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 107 (2007-11-01), Heft 325, S. 55-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    ホットメッシュCVD法によるGaN成長--ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果
    祐介, 深田 ; 和貴, 安部 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 107 (2007-11-01), Heft 325, S. 55-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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