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    Tensile-strained germanium CMOS integration on silicon
    ZANG, H ; LOH, W. Y ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 12, S. 1117-1119
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Comparison of MOCVD- and ALD-Deposited HfZrO4 Gate Dielectrics for 32-nm High-Performance Logic SOI CMOS Technologies
    KELWING, Torben ; NAUMANN, Andreas ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 10, S. 1149-1151
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Elimination of poly-Si gate depletion for sub-65-nm CMOS technologies by excimer laser annealing
    HIU YUNG, WONG ; TAKEUCHI, Hideki ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 4, S. 234-236
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Advanced HfTaON/SiO2 gate stack with high mobility and low leakage current for low-standby-power application
    XIONGFEI, YU ; MINGBIN, YU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 6, S. 498-501
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Plasma-induced damage in high-k/metal gate stack dry etch
    MUHAMMAD MUSTAFA, HUSSAIN ; SONG, Seung-Chul ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 12, S. 972-974
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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