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    MOSFET modeling for design of ultra-high performance infrared CMOS imagers working at cryogenic temperatures: Case of an analog/digital 0.18 μm CMOS process
    MARTIN, P ; ROYET, A. S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 62 (2011), Heft 1, S. 115-122
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CMOS integration of epitaxial Gd2O3 high-k gate dielectrics
    GOTTLOB, H. D. B ; ECHTERMEYER, T ; et al.
    In: ISDRS 2005, Jg. 50 (2006), Heft 6, S. 979-985
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Negative Bias Temperature Instability in CMOS Devices
    MAHAPATRA, S ; ALAM, M. A ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 114-121
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Investigation of circuit-level oxide degradation and its effect on CMOS inverter operation and MOSFET characteristics
    CHEEK, Betsy J ; STUTZKE, Nate ; et al.
    In: 2004 IEEE international reliability physics symposium proceedings, 42nd annual (Phoenix AZ, 25-29 April 2004), 2004, S. 110-116
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Three-Dimensional 4F2 ReRAM With Vertical BJT Driver by CMOS Logic Compatible Process
    WANG, Ching-Hua ; TSAI, Yi-Hung ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2466-2472
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A High-Speed Low-Power Multi-VDD CMOS/SIMOX SRAM With LV-TTL Level Input/Output Pins-Write/Read Assist Techniques for 1-V Operated Memory Cells
    SHIBATA, Nobutaro ; WATANABE, Mayumi ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 45 (2010), Heft 9, S. 1856-1869
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Gate bias effect on the 60-MeV proton irradiation response of 65-nm CMOS nMOSFETs
    SIMOEN, Eddy ; JURCZAK, Malgorzata ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 8, S. 1815-1820
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    CMOS Inverter Based on Schottky Source-Drain MOS Technology With Low-Temperature Dopant Segregation
    LARRIEU, Guilhem ; DUBOIS, Emmanuel
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 6, S. 728-730
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Ku-band interference-rejection CMOS low-noise amplifier using current-reused stacked common-gate topology
    CHEN, Wen-Lin ; CHANG, Sheng-Fuh ; et al.
    In: IEEE microwave and wireless components letters, Jg. 17 (2007), Heft 10, S. 718-720
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Grain-Orientation Induced Quantum Confinement Variation in FinFETs and Multi-Gate Ultra-Thin Body CMOS Devices and Implications for Digital Design : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    HADI RASOULI, Seid ; ENDO, Kazuhiko ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2282-2292
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Low leakage reliability characterization methodology for advanced CMOS with gate oxide in the 1nm range
    CHUNG, Steve S ; FENG, H. J ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 477-480
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Impact of pocket implant on MOSFET mismatch for advanced CMOS technology
    ROCHEREAU, K ; DIFRENZA, R ; et al.
    In: 2004 international conference on microelectronic test structures (March 22-25, 2004, S. 123-126
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High performance and low power transistors integrated in 65nm bulk CMOS technology
    LUO, Z ; STEEGEN, A ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 661-664
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Degradation of static and dynamic behavior of CMOS inverters during constant and pulsed voltage stress
    GERARDIN, S ; GRIFFONI, A ; et al.
    In: 17th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2006), Wuppertal, Germany, 3-6 October 2006, Jg. 46 (2006), Heft 9-11, S. 1669-1672
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Impact of source/drain implants on threshold voltage matching in deep sub-micron CMOS technologies
    DUBOIS, Jerome ; KNOL, Johan ; et al.
    In: ESSDERC 2002 : 32nd European solid-state device research conference (Firenze, 24-26 September 2002), 2002, S. 115-118
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The impact of STI induced reliabilities for scaled p-MOSFET in an advanced multiple oxide CMOS technology
    CHUNG, S. S ; YEH, C. H ; et al.
    In: Proceedings of the 11th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA 2004), 2004, S. 279-282
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs
    CHENG, W ; TERAMOTO, A ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2105-2108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Degradation of deep submicron partially depleted soi CMOS transistors under MeV proton or gamma irradiation
    SIMOEN, E ; RAFF, J. M ; et al.
    In: Microelectronics technology and devices SBMICRO 2003 (Sao Paulo, 8-11 September 2003), 2003, S. 18-27
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Work function control at metal-oxide interfaces in CMOS
    TSE, K ; ROBERTSON, J
    In: E-MRS 2006 symposium L : Characterization of high-k dielectric materials, Jg. 9 (2006), Heft 6, S. 964-968
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High performance 30nm bulk CMOS for 65nm technology node(CMOS5)
    MORIFUJI, E ; KANDA, M ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 655-658
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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