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    The Challenges in Introducing PMOS Dual Channel in CMOS Processing : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Harris, H.R. ; Majhi, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 223-232
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Revolutionary Nanoelectronic Devices and Processes for Post 32nm CMOS Era : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Nishi, Y.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 3-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Millisecond Annealing Junctions for Near-Scaling-Limit Bulk CMOS Using Raised Source/Drain Extensions : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Hane, M.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 63-70
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Structural and Electrical Characteristics of Oxygen Annealed ALD-ZrO2/SiON Gate Stack for Advanced CMOS Devices
    Gupta, Richa ; Vaid, Rakesh
    In: ECS Transactions, Jg. 85 (2018-06-19), S. 1481-1487
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Argon Annealed ALD-ZrO 2 /SiON Gate Stack for Advanced CMOS Devices
    Gupta, Richa ; Vaid, Rakesh ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 77 (2017-04-26), S. 51-55
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Effect of Post Deposition Annealing on ALD-ZrO2/SiON Gate Stacks for Advanced CMOS Technology
    Gupta, Richa ; Vaid, Rakesh
    In: ECS Transactions, Jg. 75 (2016-08-24), S. 67-73
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) TmSiO as a CMOS-Compatible High-k Dielectric
    Östling, Mikael ; Eugenio Dentoni Litta ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 72 (2016-05-04), S. 79-89
    Online unknown
    Zugriff:
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    (Invited) Changing Front-End Dielectric Requirements for End-of-the-Roadmap CMOS and Beyond
    Shi, Ningyu ; Hasan, M.M. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 28 (2010-04-16), S. 3-17
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Current Status and Perspective of High-k Gate Stack Materials Engineering for Further Scaled CMOS
    Toriumi, Akira
    In: ECS Transactions, Jg. 11 (2007-09-28), S. 3-16
    Online unknown
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Advanced Gate Stacks with Fully Silicided (FUSI) Gates and High-k Dielectrics for Low Power CMOS
    Rosa María Luna-Sánchez ; González-Martínez, Ignacio
    In: ECS Transactions, Jg. 2 (2006-04-28), S. 301-309
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    On the Origin of Anomalous VTH Shift in high-k MOSFETs
    Kita, Koji ; Toriumi, Akira
    In: ECS Transactions, Jg. 19 (2009-05-15), S. 243-252
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Challenges in FEOL Logic Device Integration for 32 nm Technology Node and Beyond
    Chudzik, Mike ; Yin, Haizhou ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 11 (2007-09-28), S. 371-377
    Online unknown
    Zugriff:
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Hafnium Oxide Etching Using Hydrogen Chloride Gas : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Habuka, H. ; Kobori, Y. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 289-302
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Enhancement of Carrier Ballistic Transport in Schottky S/D MOSFETs : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Wang, W. ; Tsuchiya, H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 345-350
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Integration of Al Segregated NiSiGe/SiGe Source/Drain Contact Technology in p-FinFETs for Drive Current Enhancement : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Sinha, M. ; Lee, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 323-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The Effect of NH3 on the Interface of HfO2 and Al2O3 Films on GaAs (100) Surfaces : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Suh, D. ; Cho, Y. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 233-242
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Properties of ErSi(2-x) Contacts Formed on Si(1-x)C(x) Epitaxial Layers : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Alptekin, E. ; Ozturk, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 331-338
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Modeling the Influence of Defects on the Electrical Response of Multi-Dielectric Gate-Stack Structures : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Hjalmarson, H.P. ; Devine, R.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 277-282
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    UHV Fabrication of the Ytterbium Silicide as Potential Low Schottky Barrier S/D Contact Material for N-Type MOSFET : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Yarekha, D.A. ; Larrieu, G. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 339-344
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Engineering Band-Edge High- kappa /Metal Gate n-MOSFETs with Cap Layers Containing Group IIA and IIIB Elements by Atomic Layer Deposition : Advanced Gate Stack, Source/Drain, and Channel Engineering for Si-based CMOS
    Jagannathan, H. ; Edge, L.F. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 19 (2009), Heft 1, S. 253-262
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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