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    A comparative study of HfTaON/Si[O.sub.2] and HfON/Si[O.sub.2] gate stacks with TaN metal gate for advanced CMOS applications
    Yu, Xiongfei ; Yu, Mingbin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-02-01), Heft 2, S. 284-290
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A three-dimensional stacked Fin-CMOS technology for high-density ULSI circuits
    Wu, Xusheng ; Philip C.H. Chan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), Heft 9, S. 1998-2003
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A compact physical model for yield under gate length and body thickness variations in nanoscale double-gate CMOS
    Ananthan, Hari ; Roy, Kaushik
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-09-01), Heft 9, S. 2151-2159
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A compact physical model for yield under gate length and body thickness variations in nanoscale double-gate CMOS
    Ananthan, Hari ; Roy, Kaushik
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-09-01), Heft 9, S. 2151-2159
    Online academicJournal
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    Gate capacitances behavior of nanometer FD SOI CMOS devices with HfO2 High-k gate dielectric considering vertical and fringing displacement effects using 2-D simulation
    Lin, Yu-Sheng ; Lin, Chia-Hong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-06-01), Heft 6, S. 1373-1378
    Online academicJournal
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    A new polysilicon CMOS self-aligned double-gate TFT technology
    Xiong, Zhibin ; Liu, Haitao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-12-01), Heft 12, S. 2629-2633
    Online academicJournal
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    Off-state current and performance analysis for double-gate CMOS with non-self-aligned back gate
    Kim, Keunwoo ; Hanafi, Hussein I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), Heft 9, S. 2104-2107
    Online academicJournal
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    Thermal budget limits of quarter-micrometer foundry CMOS for post-processing MEMS devices
    Takeuchi, Hideki ; Wung, Amy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), Heft 9, S. 2081-2086
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Experimental investigation of optimum gate workfunction for CMOS four-terminal multigate MOSFETs (MUGFETs)
    Masahara, Meishoku ; Surdeanu, Radu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-06-01), Heft 6, S. 1431-1437
    Online academicJournal
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    Modeling of anomalous frequency and bias dependences of effective gate resistance in RF CMOS
    Cui, Yan ; Niu, Guofu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-10-01), Heft 10, S. 2620-2626
    Online academicJournal
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    Characteristics of the CMOS SRAM cell using body-tied TG MOSFETs (bulk FinFETs)
    Park, Tai-Su ; Kim, Kinam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-03-01), Heft 3, S. 481-487
    Online academicJournal
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    The impact of deuterated CMOS processing on gate oxide reliability
    Hof, A.J. ; Hoekstra, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), Heft 9, S. 2111-2115
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Improved output ESD protection by dynamic gate floating design
    Chang, Hun-Hsien ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-09-01), Heft 9, S. 2076-2078
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Highly manufactured double-gate finFET with gate-source/drain underlap
    Yang, Ji-Woon ; Zeitzoff, Peter M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-06-01), Heft 6, S. 1464-1470
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A new technique for measuring gate-oxide leakage in charging protected MOSFETs
    Lin, Wallace
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-04-01), Heft 4, S. 683-691
    Online academicJournal
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    Enhancement of memory performance using doubly stacked Si-N-nanocrystal floating gates prepared by ion beam sputtering in UHV
    Kyu Il Han ; Yong Min Park ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-02-01), Heft 2, S. 359-362
    Online academicJournal
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    A comprehensive study of bistable gated bipolar device
    Cheng, Xu ; Duane, Russell
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-10-01), Heft 10, S. 2589-2597
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A program for device model parameter extraction from gate capacitance and current of ultrathin Si[O.sub.2] and high-kappa gate stacks
    Li, Fei ; Register, Leonard Franklin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-09-01), Heft 9, S. 2118-2127
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    An analytic potential model for symmetric and asymmetric DG MOSFETs
    Lu, Huaxin ; Taur, Yuan
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-05-01), Heft 5, S. 1161-1168
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Impact of strained-Si thickness and Ge out-diffusion on gate oxide quality for strained-Si surface channel n-MOSFETs
    Dalapati, Goutam Kumar ; Chattopadhyay, Sanatan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-05-01), Heft 5, S. 1142-1152
    Online academicJournal
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