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63 Treffer

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    Identification of Deep Levels Associated with Extended and Point Defects in GeSn Epitaxial Layers Using DLTs : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Gupta, S. ; Simoen, E. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 251-258
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Application of an Extended Unified Schottky-Poole-Frenkel Model to High-k Capacitor Structures Used in Analog Integrated Circuit Technology : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Lau, W.S.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 313-320
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of Composition Rate on Erbium Silicide Work Function on Different Silicon Surface Orientation : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Tanaka, H. ; Teramoto, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 343-350
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of Moisture on Electrical and Reliability Characteristics for Dense and Porous Low-k Dielectrics : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Cheng, Y.L. ; Huang, J.F. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 351-360
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Novel Cross-Linked Ortho-Carborane and Ortho-Carborane: Y (Y=1,4-Diaminobenzene, Pyridine, Benzene) Polymer Films: A New Class of Carborane-Based Materials with Tunable Electronic Structure : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Pasquale, F.L. ; James, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 303-312
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ALD HfO~2 and Al~2O~3 as MIM Capacitor Dielectric for GaAs HBT Technology : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Yota, J.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 281-294
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Experimental Observation of Poole-Frenkel Saturation in an Ultrathin Tantalum Oxide Capacitor Structure : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Lau, W.S.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 361-368
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Interface Trap Redistribution and Deep Depletion Behavior of Non-Planar MOS with Ultra Thin Oxide Grown by Anodic Oxidation : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Tseng, P.H. ; Hwu, J.G.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 331-342
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) Photoluminescence Efficiency of Germanium Dots Self-Assembled on Oxides : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Lockwood, D.J. ; Rowell, N.L. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 185-206
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Characteristics of Low Temperature High Quality Silicon Oxide by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition with In Situ Plasma Densification Process : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Kim, H. ; Zaretskiy, S.N. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 321-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Improved Characteristics of GaSb MOS Capacitors by Ozone Post Deposition Treatment : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Zhao, L. ; Tan, Z. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 177-184
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    (Invited) Indirect Conversion Digital X-Ray Imager Using an Amorphous Selenium Photoconductor : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Abbaszadeh, S. ; Keshavarzi, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 271-280
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Semi-Metal Nanowire Transistors from First Principle Calculations : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Ansari, L. ; Fagas, G. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 259-270
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    GeSn Film Deposition Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Suda, K. ; Uno, T. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 245-250
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effect of Different Patterns Epitaxial Lift-Off Process by Finite Element Method : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Horng, R.H. ; Wu, F.L. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 295-302
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    (Invited) Stress Simulations of Si- and Ge-Channel FinFETs for the 14 nm-Node and Beyond : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Eneman, G. ; Brunco, D.P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 225-236
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    (Invited) III-V/High-k Defects: DIGS vs. Border Traps : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Hinkle, C.L. ; Galatage, R.V. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 161-168
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    (Invited) Structural and Optical Properties of Si/Ge Nanowire Heterojunctions : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Tsybeskov, L. ; Chang, H.Y. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 215-224
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    (Invited) Germanium Nanostructures in High-K Materials : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Seidel, P. ; Geyer, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 237-244
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Capacitance-Voltage Characteristics of Gate-All-Around In~xGa~1~-~XAs Nanowire Transistor : Graphene, Ge/III-V and emerging materials for post-CMOS applications
    Khosru, Q.D.M. ; Khan, S.U.Z. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 53 (2013), Heft 1, S. 169-176
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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