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    CMOS Image Sensor for Broad Spectral Range with >90% Quantum Efficiency
    Setälä, Olli E. ; Prest, Martin J. ; et al.
    In: Small ; volume 19, issue 47 ; ISSN 1613-6810 1613-6829, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of the composition of tantalum nitride in CMOS metallization trenches using parallel angle‐resolved XPS
    Gerlich, Lukas ; Wehring, Bettina ; et al.
    In: Surface and Interface Analysis, Jg. 52 (2020-10-04), S. 962-967
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    CMOS‐Integrated Ternary Content Addressable Memory using Nanocavity CBRAMs for High Sensing Margin
    Hyun, Gihwan ; Alimkhanuly, Batyrbek ; et al.
    In: Small ; ISSN 1613-6810 1613-6829, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High‐Performance CMOS Inverter Array with Monolithic 3D Architecture Based on CVD‐Grown n‐MoS 2 and p‐MoTe 2
    Jia, Xionghui ; Cheng, Zhixuan ; et al.
    In: Small, Jg. 19 (2023-02-07)
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Structural and nanomechanical properties of porous silicon: Cheap substrate for CMOS process industry
    Scheen, Gilles ; Gabouze, Noureddine ; et al.
    2020
    Online unknown
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Flexible CMOS-Like Circuits Based on Printed P-Type and N-Type Carbon Nanotube Thin-Film Transistors
    Dou, Junyan ; Zhao, Jianwen ; et al.
    In: Small, Jg. 12 (2016-05-06), S. 5066-5073
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Homogeneous 2D MoTe 2 CMOS Inverters and p–n Junctions Formed by Laser‐Irradiation‐Induced p‐Type Doping
    Wan, Jing ; Chen, Jing ; et al.
    In: Small, Jg. 16 (2020-06-24), S. 2001428-2001428
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    MoTe 2 CMOS Inverters: Controllable P‐ and N‐Type Conversion of MoTe 2 via Oxide Interfacial Layer for Logic Circuits (Small 28/2019)
    Yong Ju Park ; Jong Hyun Ahn ; et al.
    In: Small, Jg. 15 (2019-07-01), S. 1970147-1970147
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Analysis of the composition of tantalum nitride in CMOS metallization trenches using parallel angle‐resolved XPS
    Wehring, Bettina ; Gerlich, Lukas ; et al.
    In: Surface and Interface Analysis ; volume 52, issue 12, page 962-967 ; ISSN 0142-2421 1096-9918, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    CMOS-Compatible Silicon Nanowire Field-Effect Transistors for Ultrasensitive and Label-Free MicroRNAs Sensing
    Fan, Chunhai ; Gao, Anran ; et al.
    In: Small, Jg. 10 (2014-02-27), S. 2022-2028
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Strain mapping for advanced CMOS technologies
    Tyutyunnikov, D. ; Koch, Christoph ; et al.
    In: Crystal Research and Technology, Jg. 49 (2014), S. 38-42
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Structural and nanomechanical properties of porous silicon: Cheap substrate for CMOS process industry
    Belaroussi, Yasmina ; Scheen, Gilles ; et al.
    In: Surface and Interface Analysis, Vol. 52, no.12, p. 1055-1060 (2020, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Volltext
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    The application of low energy ion scattering spectroscopy (LEIS) in sub 28-nm CMOS technology
    Triyoso, Dina H. ; Erben, Elke ; et al.
    In: Surface and Interface Analysis, Jg. 49 (2017-09-15), S. 1175-1186
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The complexation of calcium(II) and lanthanide(III) cations with the phosphate substitute (carboxymethoxy)succinate (CMOS), as studied by magnetic resonance spectroscopy
    Bovée, W.M.M.J. ; Peters, J. A. ; et al.
    In: Recueil des Travaux Chimiques des Pays-Bas, Jg. 102 (2010-09-02), S. 255-263
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    5‐Oxyacetic Acid Modification Destabilizes Double Helical Stem Structures and Favors Anionic Watson–Crick like cmo 5 U‐G Base Pairs
    Strebitzer, Elisabeth ; Rangadurai, Atul ; et al.
    In: Chemistry – A European Journal ; volume 24, issue 71, page 18903-18906 ; ISSN 0947-6539 1521-3765, 2018
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    MoTe 2 CMOS Inverters: Controllable P‐ and N‐Type Conversion of MoTe 2 via Oxide Interfacial Layer for Logic Circuits (Small 28/2019)
    Park, Yong Ju ; Katiyar, Ajit K. ; et al.
    In: Small ; volume 15, issue 28 ; ISSN 1613-6810 1613-6829, 2019
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Output characteristics of stacked CMOS-type active pixel sensor for charged particles
    Nakamura, Junichi ; Kunihiro, T. ; et al.
    In: Surface and Interface Analysis, Jg. 31 (2001), S. 131-137
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Flexible Electronics: Highly Flexible Hybrid CMOS Inverter Based on Si Nanomembrane and Molybdenum Disulfide (Small 41/2016)
    Das, Tanmoy ; Chen, Xiang ; et al.
    In: Small ; volume 12, issue 41, page 5650-5650 ; ISSN 1613-6810, 2016
    academicJournal
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    Atomic Vapor Deposition of Titanium Nitride as Metal Electrodes for Gate‐last CMOS and MIM Devices
    Lohe, Christoph ; Wenger, Christian ; et al.
    In: Chemical Vapor Deposition, Jg. 14 (2008-06-01), S. 123-128
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Flexible Electronics: Highly Flexible Hybrid CMOS Inverter Based on Si Nanomembrane and Molybdenum Disulfide (Small 41/2016)
    Jong Hyun Ahn ; Il Kwon Oh ; et al.
    In: Small, Jg. 12 (2016-11-01), S. 5650-5650
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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