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    Analysis of Random Telegraph Signal Noise in Dual and Single Oxide Device and Its Application to Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor Readout Circuit
    Lee, Hochul ; Yoon, Youngchang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2602-2605
    Online unknown
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    Modeling of Body Factor and Subthreshold Swing in Bulk Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors in Short-Channel Regime
    Hiramoto, Toshiro ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-08-04), S. 6173-6176
    Online unknown
    Zugriff:
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    Nanosized-Metal-Grain-Induced Characteristic Fluctuation in 16 nm Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices and Digital Circuits
    Cheng, Hui-Wen ; Li, Yiming
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-04-01), S. 04DC22
    Online unknown
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    Impact of Strained-Si Channel on Complementary Metal Oxide Semiconductor Circuit Performance under the Sub-100 nm Regime
    Matsuzawa, Kazuya ; Hatakeyama, Tetsuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 40 (2001-04-01), S. 2627-2627
    Online unknown
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    Simulation on a Novel Body-Driven Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Silicon Field-Effect-Transistor for Sub-0.1 µm Small Logic Swing Operation
    Koh, Risho
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-04-01), S. 1793-1793
    Online unknown
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