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    Low-power and high-resolution capacitance sensing using CMOS inverter-based RC oscillator by employing voltage-integration feedback
    Li, Zixuan ; Lee, Sangyeop ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 62 (2023-03-27), S. SC1096
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    A flexible retinal device with CMOS smart electrodes fabricated on parylene C thin-film and bioceramic substrate
    Pan, Kaige ; Hagiwara, Takanori ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 62 (2023-01-18), S. SC1022
    Online unknown
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    Improvement of on-pixel polarizer with 0.35 μm CMOS process for electro-optic imaging systems
    Okada, Ryoma ; Sasagawa, Kiyotaka ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 62 (2023-02-06), S. SC1052
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    A dual-mode miniature wireless system for lensless CMOS-based bioimaging devices
    Treepetchkul, Thanaree ; Siwadamrongpong, Ronnakorn ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 62 (2023-01-25), S. SC1037
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    Slot-die coating of silicon ink for volume production of CMOS polysilicon TFTs
    Ito, Mao ; Kamath, Arvind
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 60 (2021-09-13), S. 101001-101001
    Online unknown
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    Demonstration of 4H-SiC CMOS circuits consisting of well-balanced n- and p-channel MOSFETs fabricated by ultrahigh-temperature gate oxidation
    Moges, Kidist ; Shimura, Takayoshi ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 14 (2021-08-24), S. 091006-91006
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    CMOS-compatible integration of telecom band InAs/InP quantum-dot single-photon sources on a Si chip using transfer printing
    Katsumi, Ryota ; Ota, Yasutomo ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 16 (2022-12-28), S. 012004-12004
    Online unknown
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    Implantable AC-driven CMOS chip for distributed multichip retinal prosthesis capable of high-rate stimulation
    Nakanishi, Yuki ; Sasagawa, Kiyotaka ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 62 (2023-02-24), S. SC1077
    Online unknown
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    1.2 nJ/classification 2.4 mm2 asynchronous wired-logic DNN processor using synthesized nonlinear function blocks in 0.18 μm CMOS
    Sumikawa, Rei ; Shiba, Kota ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 62 (2023-01-10), S. SC1019
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    A 180 nm CMOS smart ultrasonic water flow meter circuit for IoT smart society
    Johguchi, Koh ; Kaga, Yuta
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 60 (2021-03-17), S. SBBL05
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    Differential-drive CMOS rectifier with photovoltaic-assist and self-Vth-cancellation schemes for high power conversion efficiency under low input power conditions
    Usami, Ren ; Chonan, Yasunori ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 60 (2021-02-26), S. SBBL04
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Development of a CMOS-compatible contact technology for III–V materials and Si photonics
    Nemouchi, Fabrice ; Rodriguez, Philippe ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 59 (2020-03-30), S. SL0801
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    Adhesive wafer bonding for CMOS based lab-on-a-chip devices
    Thon, Jan-Erik ; Schikowski, Marc ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 59 (2020-01-03), S. SBBD04
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    CMOS-compatible GaN-on-Si HEMTs with cut-off frequency of 210 GHz and high Johnson’s figure-of-merit of 8.8 THz V
    Geok Ing Ng ; Kenneth Eng Kian Lee ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 13 (2020-01-10), S. 026503-26503
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High-exposure-durability, high-quantum-efficiency (>90%) backside-illuminated soft-X-ray CMOS sensor
    Wang, Xinyang ; Bogaerts, Jan ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 13 (2019-12-04), S. 016502-16502
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    Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V dd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs
    Muneta, Iriya ; Kawanago, Takamasa ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 61 (2022-02-07), S. SC1004
    Online unknown
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    Improving breakdown voltage for 120 V level up shifter by using vertical and lateral assisted depletion layers in 0.35 μm CMOS technology
    Ningaraju, Vivek ; Lin, Horng-Chih ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 59 (2020-02-28), S. SGGD15
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    Bit topology selection algorithm in design of highly accurate CMOS digital attenuator for phased array system
    Shankar Kumar Selvaraja ; Sai Saravanan, G ; et al.
    In: Engineering Research Express, Jg. 2 (2020-01-06), S. 015007-15007
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Energy- and spatial-resolved detection using a backside-illuminated CMOS sensor in the soft X-ray region
    Teranishi, Nobukazu ; Zhou, Quan ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 12 (2019-07-30), S. 082012-82012
    Online unknown
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    MEMS micro-bridge structure-based process platform fabricated with CMOS Al BEOL compatible process
    Kang, Xiaoxu ; Xingwang, Zhu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-07-01), S. SHHH02
    Online unknown
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